Research on Physics and Chemistry of ZnO and its related alloy crystal wafers aiming to utilization of ZnO based devices

ZnO及其相关合金晶体片的物理和化学研究，旨在实现ZnO基器件的应用

• 批准号: 20246007
• 负责人: OHASHI Naoki
• 金额: $ 31.62万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20246007/
• 关键词: 酸化亜鉛; ウエファー; 精密研磨; 圧電特性; エピタキシャル成長; 単結晶ウエファー; 表面欠陥; 研磨; イオン注入; 固相拡散; 半導体ウエファー; 欠陥構造; 表面構造

Surface planarization process was optimized for device application of (Zn, Mg)O alloy wafers and physical properties of the wafers were evaluated for realistic designing of (Zn, Mg)O based devices.

优化了（Zn, Mg）O合金晶片的表面平整工艺，并对晶片的物理性能进行了评价，为（Zn, Mg）O基器件的实际设计提供了依据。

项目成果

Oxygen Tracer Diffusion in Magnesium-doped ZnO Ceramics

氧示踪剂在镁掺杂 ZnO 陶瓷中的扩散

• 发表时间: 2010
• 期刊: J.Ceram.Soc.Jpn
• 作者: I.Sakaguch;K.Matsumoto;T.Ohgaki;Y.Adachi;K.Watanabe;N.Ohashi;H.Haneda
• 通讯作者: H.Haneda

Growth and Characterization of (Zn,Mg)O Bulk and Film Crystals

(Zn,Mg)O 块状晶体和薄膜晶体的生长和表征

• 发表时间: 2009
• 作者: N.Ohashi;J.Kobayashi;H.Sekiwa;M.Miyamoto;Y.Adachi;I.Sakaguchi;Y.Wada
• 通讯作者: Y.Wada

Structure of Polar Crystals in Terms of Crystal Growth and Functions

从晶体生长和功能角度看极性晶体的结构

• 发表时间: 2008
• 作者: 下間靖彦;三浦清貴;平尾一之;大橋直樹
• 通讯作者: 大橋直樹

Properties of gallium- and aluminum-doped bulk ZnO obtained from single-crystals grown by liquid phase epitaxy

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.07.037
• 发表时间: 2009-09
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Jun Kobayashi;N. Ohashi;H. Sekiwa;I. Sakaguchi;M. Miyamoto;Y. Wada;Y. Adachi;Kenji Matsumoto;H. Haneda

Positive Hall coefficients obtained from contact misplacement on evident n-type ZnO films and crystals

• DOI: 10.1557/jmr.2008.0300
• 发表时间: 2008-09
• 期刊: Journal of Materials Research
• 影响因子: 2.7
• 作者: T. Ohgaki;N. Ohashi;Shigeaki Sugimura;Haruki Ryoken;I. Sakaguchi;Y. Adachi;H. Haneda