Development of a new Chemical Mechanical Polishing (CMP) machine, assisted by the photocatalytic reactions and electrolytic actions in the atmosphere controlled sealed CMP chamber

开发新型化学机械抛光 (CMP) 机，辅以气氛控制密封 CMP 室中的光催化反应和电解作用

• 批准号: 20246033
• 负责人: DOI Toshiro
• 金额: $ 18.39万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20246033/
• 关键词: CMP; 密閉型加工; 密閉雰囲気; 光触媒反応; Si; SiC; 加工レート; ベルジャー密閉型; 高圧ガス雰囲気と減圧雰囲気; 光触媒反応の援用; 両面同時加工; 多枚数同時加工; 難加工材料; 雰囲気制御加工; 電解CMP; 高圧酸素雰囲気

Based on the characteristics and mechanism of CMP (Chemical Mechanical Polishing) obtained through the experiments, we have designed and manufactured a prototype of a sealed, bell-jar shaped, both-side simultaneous CMP machine. This innovative machine, assisted by the photocatalytic reactions inside the sealed Bell-Jar chamber while ultra-violet being applied, has realized integration of high efficiency CMP and both-side simultaneous polishing into one machine. This integrated machine provides 4.5 times higher polishing efficiency with hard-to-process SiC wafers than that of the conventional machine, and consequently, is drawing attentions from the industries as next generation CMP machine.

根据实验得到的CMP（Chemical Mechanical Polishing）的特点和机理，设计并制造了一台密封的钟罩式双面同时CMP机样机。这台创新的机器，在密封的钟罩室内的光催化反应，同时施加紫外线，实现了高效率的CMP和双面同时抛光集成到一台机器。该一体化设备对难加工SiC晶片的抛光效率是传统设备的4.5倍，因此作为下一代CMP设备受到业界的关注。

项目成果

Cu-CMP Characteristics by Controlled Atmosphere polishin Machine and Effect of High Pressure CO_2 Gas

可控气氛抛光机Cu-CMP特性及高压CO_2气体的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: Y.Oki;T.Doi;et al.
• 通讯作者: et al.

加工環境コントロールによる機能性材料の加工に関する研究

控制加工环境的功能材料加工研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 木原丈晴;土肥俊郎;他5名
• 通讯作者: 他5名

Characteristics of a Simultaneous Double-side CMP Machine, Housed in a Sealed, Pressure-Resistance Container

装在密封耐压容器中的同步双面 CMP 机的特性

• 发表时间: 2010
• 期刊: Key Engineering Materials
• 作者: K.Kitamura;T.Doi;et al.
• 通讯作者: et al.

酸化マンガン系スラリーを用いたSiC単結晶基板の精密加工プロセスに関する研究-密閉型加工環境コントロールCMP装置による加工-

使用氧化锰浆料的SiC单晶基板精密加工工艺研究-采用封闭式加工环境控制CMP设备进行加工-

• 发表时间: 2011
• 作者: 長谷川正;土肥俊郎;黒河周平;大西修;河瀬康弘;尹涛;山崎努;岸井貞浩
• 通讯作者: 岸井貞浩

加工環境を制御したCMP装置によるSiCウエハの高能率加工に関する研究-コロイダルシリカとダイヤモンド微粒子スラリーを用いた加工特性-

使用受控加工环境的 CMP 设备高效加工 SiC 晶片的研究 - 使用胶体二氧化硅和金刚石细颗粒浆料的加工特性 -

• 发表时间: 2011
• 作者: 尹涛;土肥俊郎;黒河周平;大西修;山崎努;北村圭;長谷川正
• 通讯作者: 長谷川正