Development of a new Chemical Mechanical Polishing (CMP) machine, assisted by the photocatalytic reactions and electrolytic actions in the atmosphere controlled sealed CMP chamber
Development of a new Chemical Mechanical Polishing (CMP) machine, assisted by the photocatalytic reactions and electrolytic actions in the atmosphere controlled sealed CMP chamber
批准号:
20246033
负责人:
DOI Toshiro
金额:
$18.39万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2010
中文摘要
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英文摘要
Based on the characteristics and mechanism of CMP (Chemical Mechanical Polishing) obtained through the experiments, we have designed and manufactured a prototype of a sealed, bell-jar shaped, both-side simultaneous CMP machine. This innovative machine, assisted by the photocatalytic reactions inside the sealed Bell-Jar chamber while ultra-violet being applied, has realized integration of high efficiency CMP and both-side simultaneous polishing into one machine. This integrated machine provides 4.5 times higher polishing efficiency with hard-to-process SiC wafers than that of the conventional machine, and consequently, is drawing attentions from the industries as next generation CMP machine.
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Cu-CMP Characteristics by Controlled Atmosphere polishin Machine and Effect of High Pressure CO_2 Gas
可控气氛抛光机Cu-CMP特性及高压CO_2气体的影响
DOI:
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发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Oki, T.Doi, et al.]
通讯作者:
et al.
加工環境コントロールによる機能性材料の加工に関する研究
控制加工环境的功能材料加工研究
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[木原丈晴, 土肥俊郎, 他5名]
通讯作者:
他5名
Characteristics of a Simultaneous Double-side CMP Machine, Housed in a Sealed, Pressure-Resistance Container
装在密封耐压容器中的同步双面 CMP 机的特性
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Key Engineering Materials
影响因子:
--
作者:
[K.Kitamura, T.Doi, et al.]
通讯作者:
et al.
酸化マンガン系スラリーを用いたSiC単結晶基板の精密加工プロセスに関する研究-密閉型加工環境コントロールCMP装置による加工-
使用氧化锰浆料的SiC单晶基板精密加工工艺研究-采用封闭式加工环境控制CMP设备进行加工-
DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長谷川正, 土肥俊郎, 黒河周平, 大西修, 河瀬康弘, 尹涛, 山崎努, 岸井貞浩]
通讯作者:
岸井貞浩
加工環境を制御したCMP装置によるSiCウエハの高能率加工に関する研究-コロイダルシリカとダイヤモンド微粒子スラリーを用いた加工特性-
使用受控加工环境的 CMP 设备高效加工 SiC 晶片的研究 - 使用胶体二氧化硅和金刚石细颗粒浆料的加工特性 -
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[尹涛, 土肥俊郎, 黒河周平, 大西修, 山崎努, 北村圭, 長谷川正]
通讯作者:
長谷川正
共 34 条
Breakthrough in the ultra-precison polishing process of diamond substrates as an ulimate device
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批准号:24226005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$137.78万
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财政年份:2012
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负责人:DOI Toshiro
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依托单位: