Stacking faults in compound semiconductor nanowires grown by selective-area vapor-phase epitaxy : A first-principles study

选择性区域气相外延生长的化合物半导体纳米线中的堆垛层错：第一原理研究

• 批准号: 21860001
• 负责人: KOGA Hiroaki
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21860001/
• 关键词: ナノ材料; 結晶成長; 表面再構成; 第一原理計算; ガリウムヒ素

This theoretical study examined the atomic structure of the surface of GaAs, a substance typically used in III-V semiconductor nanowires. Highly reliable calculations (based on first-principles methods) found that the earlier structural models of the high-temperature phase (√19 x √19 phase) are in fact unstable and insufficient. A new model was built and its validity confirmed. Furthermore, the effect of such surface structures, as well as that of the introduction of other group-V elements, on the nano-scale structure of GaAs was predicted.

这项理论研究研究了GaAs表面的原子结构，GaAs是一种通常用于III-V族半导体纳米线的物质。高度可靠的计算（基于第一性原理方法）发现，高温相（α 19 x α 19相）的早期结构模型实际上是不稳定和不充分的。建立了一个新的模型，并证实了其有效性。此外，这种表面结构，以及其他V族元素的引入，对GaAs的纳米尺度结构的影响进行了预测。

项目成果

Effect of As preadsorption on InAs nanowire heteroepitaxy on Si(111) : A first-principles study

As 预吸附对 Si(111) 上 InAs 纳米线异质外延的影响：第一性原理研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Physical Review B Vol.80
• 作者: 小林慶太;臼井健二;杉本直己;坂牛健;古賀裕明
• 通讯作者: 古賀裕明

Structure of GaAs (-1-1-1) under Ga-rich conditions : A √19×√19 reconstruction model

富Ga条件下GaAs(-1-1-1)的结构：√19×√19重构模型

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physical Review B Vol.82
• 作者: K.Usui;M.Mie;T.Andou;N.Sugimoto;H.Mihara;E.Kobatake;古賀裕明
• 通讯作者: 古賀裕明

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Si(111)を基板とするInAsナノワイヤ気相成長:As吸着表面の第一原理的研究

Si(111) 基底上 InAs 纳米线的气相生长：As 吸附表面的第一性原理研究

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Usui;K.Kobayashi;N.Sugimoto;遠藤玉樹・杉本直己;國分貴雄;古賀裕明
• 通讯作者: 古賀裕明

GaAs(111)B六角リング再構成モデルの第一原理的検討

GaAs(111)B六方环重构模型的第一性原理研究

• 发表时间: 2010
• 作者: K.Usui;M.Mie;T.Andou;N.Sugimoto;H.Mihara;E.Kobatake;緒明佑哉;古賀裕明
• 通讯作者: 古賀裕明