不純物束縛励起子を用いたもつれ光子対生成の実現

利用杂质束缚激子实现纠缠光子对生成

• 批准号: 21860058
• 负责人: 原田 幸弘
• 金额: $ 1.71万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21860058/
• 关键词: 電子・電気材料; 半導体物性; 光物性

高周波プラズマソースを用いた分子線エピタキシー法によって作製した、窒素をデルタドーブしたGaAsにおいて、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造分裂の歪みと磁場による制御性を発光分光測定によって検討した。窒素の面密度を変化させた試料からの発光スペクトルと、電子-正孔間交換相互作用と歪みによる局所場効果、励起子ポピュレーションを考慮した計算結果を比較することによって、歪みによって励起子微細構造の分裂エネルギーと振動子強度が制御できることを明らかにした。さらに、Faraday配置とVoigt配置で測定した磁気発光スペクトルと、Zeeman相互作用を考慮した計算結果を比較することによって、C_<2v>対称性を保った場合における励起子微細構造の磁場依存性を明らかにした。Voigt配置における同一の直線偏光成分をもつ励起子微細構造の反交差的な振る舞いによって、直交する直線偏光成分をもつ励起子微細構造のエネルギー準位を縮退させることが可能であることが明らかになった。この結果は、不純物束縛励起子における、励起子分子-励起子のカスケード発光を用いたもつれ光子対生成の実現可能性を示唆するものである。また、励起子分子-励起子のカスケード発光を用いるためには同一の窒素ペアに束縛された励起子分子発光と励起子発光を観測する必要がある。そこで、各発光線の励起光強度依存性と励起子微細構造の分裂パターンを比較することによって、同一の窒素ペアに束縛された励起子分子と励起子による発光線が観測できていることを明らかにした。

The high-frequency laser beam is used to determine the frequency of the high-frequency magnetic field. The molecular line is used as the instrument, the asphyxiant is used to make the GaAs, the asphyxiant is used as the exciter, the exciter is micro-operated, the magnetic field is distorted, the magnetic field is distorted, and the spectrometer is used to determine the temperature. Asphyxiating temperature, temperature, The results of the Voigt configuration test and the Zeeman interaction test show that the magnetic field dependence of the magnetic field is much higher than that of the Voigt configuration. Voigt is configured with the same straight-line polarizing component, the exciter micro-device creates the vibration dance component, the straight-line polarizing component, the straight-line polarizing component, the exciter micro-device, the linear polarization component, the linear polarizing component, the direct polarizing component, the direct polar The result of the experiment, the exciter of the beam exciter, the photon, the exciter, the photon, the photon, the Exciter, exciter, light, light, The light intensity-dependent exciter is excited by the light intensity-dependent exciter, the light intensity-dependent exciter is excited by the light intensity-dependent exciter, the light intensity-dependent exciter is excited by the light intensity-dependent exciter, the light intensity-dependent exciter is excited by the light intensity-dependent exciter, the light intensity-dependent exciter is excited by the light intensity-dependent exciter, and the light intensity-dependent exciter is excited by the light intensity-dependent exciter.

项目成果

Anisotropic Linear Polarization Luminescence in CdTe/CdMnTe Quantum Wires

CdTe/CdMnTe 量子线中的各向异性线性偏振发光

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Luminescence 129
• 作者: 川崎泰就;間瀬憲一;岡田啓;Y.Harada
• 通讯作者: Y.Harada

Magnetic-field control of exciton fine structure splitting in nitrogen δ-doped GaAs

氮δ掺杂GaAs中激子精细结构分裂的磁场控制

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Horita;T.Kimoto;J.Suda;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘

GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション

GaAs 中氮等电子束缚激子精细结构的分布

• 发表时间: 2009
• 作者: 村松真伍;小林豊;下村匠;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘

窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子分子発光

氮 δ 掺杂 GaAs 中的束缚激子分子发射

• 发表时间: 2009
• 作者: H.Yoshida;et al.;田中展;Masahiro Horita;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘

窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフト

氮δ掺杂GaAs发射光谱的抗磁位移

• 发表时间: 2010
• 作者: 柏尚稔;勝二理智;林康裕;吹田啓一郎;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘