Study on isopolytypic 4H-AlN/4H-SiC hetero-interface for electronic device applications

用于电子器件应用的同多型4H-AlN/4H-SiC异质界面研究

• 批准号: 21860060
• 负责人: HORITA Masahiro
• 金额: $ 1.71万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21860060/
• 关键词: ヘテロ接合デバイス; 炭化ケイ素(SiC); 窒化アルミニウム(AlN); 結晶成長; シリコンカーバイド; 窒化アルミニウム; エピタキシャル成長

To investigate the properties of 4H-AlN/4H-SiC(11-20) heterojunction, heterojunction field-effect transistors(HFET) and Hall devices with the heterojunction were fabricated. In the fabrication process for these devices, SiC related processes, that is, epitaxial growth of SiC and ion implantation to SiC were completed. However, there still remain several challenges in epitaxial growth of AlN and post AlN growth process, resulting that the device fabrication is incomplete. We will try to resolve the challenges and complete the devices. We believe that characterization of these devices lead to clarification of the heterojunction properties.

为了研究4 H-AlN/4 H-SiC（11-20）异质结的特性，制备了异质结场效应晶体管（HFET）和霍尔器件。在这些器件的制造过程中，完成了SiC相关工艺，即SiC的外延生长和对SiC的离子注入。然而，在AlN的外延生长和后AlN生长工艺中仍然存在一些挑战，导致器件制造不完整。我们将努力解决挑战并完成设备。我们相信，这些设备的特性导致澄清的异质结特性。

项目成果

Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11-20) and (1-100) Planes under Group-III-Rich Conditions

在富含 III 族的条件下，在 (11-20) 和 (1-100) 面上生长的 AlGaN 的 Ga 掺入量存在异常大的差异

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Physics Express Vol.2
• 作者: M.Horita;T.Kimoto;J.Suda
• 通讯作者: J.Suda

Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiC (1-100)

在 4H-SiC 上生长的非极性 4H 多型 AlN/AlGaN 多量子阱结构 (1-100)

• 发表时间: 2010
• 期刊: Applied Physics Express Vol.3
• 作者: M.Horita;T.Kimoto;J.Suda
• 通讯作者: J.Suda

Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiC(11_00)

4H-SiC 上生长的非极性 4H 多型 AlN/AlGaN 多量子阱结构(11_00)

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Masahiro Horita;Tsunenobu Kimoto;Jun Suda
• 通讯作者: Jun Suda

Growth and Characterization of Nonpolar 4H-AlN/AlGaN Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates

4H-SiC 衬底上非极性 4H-AlN/AlGaN 多量子阱的生长和表征

• 发表时间: 2009
• 作者: H.Yoshida;et al.;田中展;Masahiro Horita
• 通讯作者: Masahiro Horita

4H-SiC上への無極性面4HポリタイプAlN/AlGaN MQW構造の作製と特性評価

4H-SiC 上非极性 4H 多型 AlN/AlGaN MQW 结构的制备和表征

• 发表时间: 2009
• 作者: H.Yamaguchi;T.Hanawa;O.Yamamoto;Y.Matsuda;Y.Egami;T.Niimi;内田慎哉;堀田昌宏
• 通讯作者: 堀田昌宏