Low Temperature Formation of SingleCrystal Germanium Thin Film by Laser Annealing for Laminated Structure

叠层结构激光退火低温形成单晶锗薄膜

基本信息

  • 批准号:
    23760284
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In order to obtain single crystal germanium (Ge) on amorphous substrates, green laser annealing (GLA) for the Ge//Si laminated structure was investigated. We found that the lower Si layer can be crystallized as well as the upper Ge layer. In addition, we also examined CO2infrared laser annealing for the Si//Si laminated structure. The size of poly-Si grains formed by CO2 laser annealing was approximately twice as large (~2 μm) as that by GLA. The upper and lower Si layers were simultaneously crystallized with large grains.
为了在非晶态衬底上获得单晶Ge,对Ge//Si层状结构进行了绿色激光退火热处理(GLA)。我们发现,下层的Si层和上层的Ge层都可以晶化。此外,我们还研究了CO_2红外激光对Si//Si层状结构的影响。CO_2激光退火法形成的多晶硅颗粒尺寸约为玻璃硅退火法的两倍(~2μm)。上、下硅层同时晶化,晶粒粗大。

项目成果

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专利数量(0)
Super Low Temperature Fabrication of Thin Film Transistors with Polycrystalline Si and Oxide Semiconductor Materials
多晶硅和氧化物半导体材料薄膜晶体管的超低温制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中嶋誠二,辻田陽介,瀬戸翔太;藤沢浩訓,小舟正文,清水勝,朴正敏,金島岳,奥山雅則;山崎浩司;西永慈郎;中嶋 誠二;Seiji Nakashima;西永慈郎;山崎浩司;辻田 陽介;M. Horita
  • 通讯作者:
    M. Horita
三次元構造デバイス応用に向けた CO2レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成
通过 CO2 激光退火形成层压多晶硅薄膜,用于三维结构器件应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中嶋誠二,辻田陽介,瀬戸翔太;藤沢浩訓,小舟正文,清水勝,朴正敏,金島岳,奥山雅則;山崎浩司
  • 通讯作者:
    山崎浩司
三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによる積層構造多結晶シリコン薄膜の同時結晶化技術
用于三维器件应用的使用绿光激光退火的堆叠多晶硅薄膜同步结晶技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. Tatebayashi;Y. Ota;S. Ishida;M. Nishioka;S. Iwamoto and Y. Arakawa;Seiji Nakashima;J. Nishinaga;山崎浩司
  • 通讯作者:
    山崎浩司
Thin Film Transistors and Photo Diodes Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing
绿光激光退火双层多晶硅薄膜上制作的薄膜晶体管和光电二极管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. Tatebayashi;Y. Ota;S. Ishida;M. Nishioka;S. Iwamoto and Y. Arakawa;西永慈郎;K. Yamasaki
  • 通讯作者:
    K. Yamasaki
CO2レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の形成
CO2激光退火形成多晶硅薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中嶋誠二,辻田陽介,瀬戸翔太;藤沢浩訓,小舟正文,清水勝,朴正敏,金島岳,奥山雅則;山崎浩司;西永慈郎;中嶋 誠二;Seiji Nakashima;西永慈郎;山崎浩司
  • 通讯作者:
    山崎浩司
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    2020
  • 资助金额:
    $ 3万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
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