Device Structure Optimization of MOS Transistors for Reduction of Low Frequency Noise

降低低频噪声的MOS晶体管器件结构优化

• 批准号: 22860004
• 负责人: KURODA Rihito
• 金额: $ 2.01万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22860004/
• 关键词: MOSトランジスタ; 1/fノイズ; Random Telegraph Noise; CMOSイメージセンサ; シリコン; ノイズ; Random Telegraph Signalノイズ; MOSFET

The noise characteristics of MOS transistors with various device parameters were evaluated using the measurement method that can statistically analyze noise of more than one million transistors. It was confirmed that the appearance probability of random telegraph noise in buried channel structure with buried layer width of 60nm is reduced to 1/60 compared to the standard surface channel structure. The noise reduction mechanism by an introduction of the buried channel structure was clarified. The device structure optimization methodology for low noise MOS transistor was proposed for the realization of very high sensitivity CMOS image sensors.

采用可统计分析超过一百万个晶体管噪声的测量方法，对不同器件参数下MOS晶体管的噪声特性进行了评价。结果表明，与标准表面通道结构相比，埋层宽度为60nm的埋层通道结构中随机电报噪声出现的概率降低到1/60。阐明了埋地通道结构的降噪机理。为实现高灵敏度CMOS图像传感器，提出了一种低噪声MOS晶体管的器件结构优化方法。

项目成果

Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS

功函数优化的 S/D 硅化物接触对高电流驱动能力 CMOS 的影响

• 发表时间: 2010
• 期刊: ECS Trans.
• 作者: Y. Yukihisa;R. Kuroda;H. Tanaka;T. Isogai;A. Teramoto;S. Sugawa;and T. Ohmi
• 通讯作者: and T. Ohmi

原子レベル平坦化Si表面を用いた紫外光高感度・高信頼性フォトダイオード

采用原子平整硅表面的紫外光敏感且高度可靠的光电二极管

• 发表时间: 2011
• 作者: 西尾真由子;Juliette Marin;藤野陽三;黒田理人
• 通讯作者: 黒田理人

10Mfps高速CMOSイメージセンサの高S/N読み出し動作

10Mfps 高速 CMOS 图像传感器的高信噪比读出操作

• 发表时间: 2011
• 作者: H.Tanaka;A.Yamamoto;J.Shimoyama;H.Ogino;K.Kishio;栃木靖久
• 通讯作者: 栃木靖久

Large Scale Test Circuits for High Speed and Highly Accurate Evaluation of Variability and Noise of MOSFETs' Electrical Characteristics

用于高速、高精度评估 MOSFET 电气特性变化和噪声的大规模测试电路

• DOI: 10.1143/jjap.50.106701
• 发表时间: 2011
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: 石原知明;荻野要介;澤田恵介;丹野英幸;Yuki Kumagai
• 通讯作者: Yuki Kumagai

Formation Speed of Atomically Flat surface on Si(100) in Ultra-Pure Argon

超纯氩中 Si(100) 原子平坦表面的形成速度

• DOI: 10.1016/j.mee.2011.06.014
• 发表时间: 2011
• 期刊: Microelectronic Engineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: 永野敦士;荻野要介;大西直文;澤田恵介;A.Ando;Xiang Li
• 通讯作者: Xiang Li