溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明
溶液生长法阐明SiC晶体缺陷自修复机制
基本信息
- 批准号:23860025
- 负责人:
- 金额:$ 2.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011-08-24 至 2013-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
低損失、高耐圧のSiCパワーデバイス実現の『カギ』を握るのが、SiC単結晶の高品質化である。現在、市販されているSiC単結晶には、高密度の欠陥が含まれている。特に貫通らせん転位(TSD)は、電流のリーク源となり、デバイス特性、信頼性の大幅な低下をもたらす事が知られている。本研究では、溶液成長法における、貫通らせん転位の低減に関する研究を実施した。本年度は、溶液法によって成長したSiC結晶中の欠陥のキャラクタリゼーションおよび、欠陥低減メカニズムに関する研究を実施した。X線トポグラフィー法および、透過電子顕微鏡法を複合的に用いて、SiC結晶中の欠陥評価を行った結果、溶液成長中に貫通らせん転位が基底面の欠陥に変換していることが明らかとなった。また、貫通らせん転位は、積層欠陥をはさんで複数の部分転位に分解していた。表面モフォロジーと貫通らせん転位の変換率を比較すると、ステップバンチングによって生じたマクロステップのステップフロー成長によって、効果的に貫通らせん転位が変換することが明らかとなった。また、微傾斜を設けた種結晶を用いて、ステップフロー成長をエンハンスすることによって、貫通らせん転位の変換率を飛躍的に向上させることに成功した。さらに、種結晶の傾斜角度を変化させることによって、貫通らせん転位の変換率を99%以上にまで向上させ、溶液成長法による、貫通らせん転位フリーの、高品質SiC結晶成長の可能性を示した。
Low loss, high pressure SiC crystal realization, high quality SiC crystal Now, in the market, SiC crystals are high in density and low in purity. Special penetration level (TSD), current source, noise characteristics, and signal degradation This study is aimed at the solution growth method and the research on the reduction of the penetration level. This year, the solution method for the growth of SiC crystals in the absence of a clear and low temperature research conducted X-ray diffraction method, electron microscopy method, recombination, SiC crystallization, solution growth, penetration, substrate surface, transformation The number of parts of the structure is divided into two parts: the first part is divided into two parts: the second part is divided into three parts: the third part is divided into four parts: the fourth part The change rate of the surface layer and the penetration layer are compared. For example, if you want to use the micro-tilt, you can use the micro-tilt to grow the micro-tilt. The possibility of high quality SiC crystal growth is demonstrated by the solution growth method, which is characterized by a change in the tilt angle of the seed crystal, a change in the penetration position of the seed crystal, and a change in the penetration position of the seed crystal.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進
促进SiC溶液生长中螺纹螺位错的减少
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:原田俊太;山本祐治;関和明;堀尾篤史;三橋貴仁;宇治原徹
- 通讯作者:宇治原徹
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利用离轴籽晶溶液生长实现超高品质 4H-SiC 晶体的高效工艺
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Harada;Y.Yamamoto;K.Seki;A.Horio;T.Mitsuhashi;T.Ujihara
- 通讯作者:T.Ujihara
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- 影响因子:0
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