Study of High-Spatial Resolution Strain Measurements in Semiconductor Devices Using Tip-Enhanced Raman Spectroscopy

使用尖端增强拉曼光谱进行半导体器件高空间分辨率应变测量的研究

基本信息

批准号：
23860051
负责人：
KOSEMURA Daisuke
金额：
$ 1.91万
依托单位：
Meiji University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

Tip-enhanced Raman spectroscopy (TERS) was realized by combining Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). Far-field signal (background) frequently interrupts us to derive the TERS signal from obtained spectra. To suppress the background, the polarization properties of both TERS signal and background were examined in detail. As a result, high-intensity ratio of the TERS signal to background was obtained in the conditions of [110] incidence and p and s polarizations of the incident and scattered lights, respectively. Anenhancement factor of approximately 1.6 〓 105 was obtained by comparing the experimental results and calculations based on the tip-enhanced modeling with the “tip-amplification tensor.” The obtained value of the enhancement factor was higher than the previously reported value of about104. The reason for the high enhancement factor is considered to be the tip apex remaining in the vicinity of the sample surface in the shear-force AFM measurements.

通过结合拉曼光谱和原子力显微镜（AFM）来实现尖端增强的拉曼光谱法（TER）。远场信号（背景）经常中断我们从获得的光谱中得出TERS信号。为了抑制背景，详细检查了TERS信号和背景的极化特性。结果，在[110]发射率和入射光和散射光的条件下，TERS信号与背景的高强度比分别获得了背景。通过将基于尖端增强建模的实验结果和计算与“尖端放大张量”进行比较，获得了约1.6〓105的原反性因子。增强因子的获得值高于先前报道的大约104个值。高增强因子的原因被认为是剪切力AFM测量中样品表面附近的尖端顶端。

项目成果

期刊论文数量（45）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Characterization ofanisotropic strain relaxation after mesaisolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NAand oil-immersion Raman method

采用新开发的高数值孔径和油浸拉曼方法表征应变 SGOI 和 SiGe/Si 结构中隔离后的各向异性应变弛豫

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Usuda;D. Kosemura;M. Tomita;A.Ogura;and T. Tezuka
通讯作者：
and T. Tezuka

Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-Shaped Strained Si Layers by FEM Simulation

通过有限元模拟评估台面形应变硅层中的各向异性应力松弛

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Motohiro Tomita;Daisuke Kosemura;Koji Usuda;Tsutomu Tezuka;Atsushi Ogura
通讯作者：
Atsushi Ogura

Investigation of Phonon DeformationPotentials in Si_<1_x>Ge_x by Oil-ImmersionRaman Spectroscopy

油浸拉曼光谱研究Si_<1_x>Ge_x的声子变形势

DOI：
10.1143/apex.5.111301
发表时间：
2012
期刊：
Appl. Phys. Express
影响因子：
0
作者：
D. Kosemura;K. Usuda;and A. Ogura
通讯作者：
and A. Ogura

Channel Strain Measurement in 32-nm-Node Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Raman Spectroscopy

通过拉曼光谱测量 32 纳米节点互补金属氧化物半导体场效应晶体管的通道应变

DOI：
10.1143/jjap.51.04da04
发表时间：
2012
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Rei Yamagishi;Kiyotaka Obunai;Tadao Fukuta;Koichi Ozaki;Yusuke Numata;Munehisa Takei
通讯作者：
Munehisa Takei

不純物注入レスプロセスにより形成したひずみGeナノワイヤメタルソース・ドレインpMOSFET (II) -メタルソース・ドレインによる寄生抵抗低減効果と短チャネルデバイス特性評価-

无杂质注入工艺形成的应变Ge纳米线金属源/漏pMOSFET（II） - 金属源/漏的寄生电阻降低效应和短沟道器件特性评估 -