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Examination of anisotropic stress state evaluation in III-V compound semiconductors by oil-immersion Raman spectroscopy

Examination of anisotropic stress state evaluation in III-V compound semiconductors by oil-immersion Raman spectroscopy
通过油浸拉曼光谱评估 III-V 族化合物半导体各向异性应力状态的检验
批准号：
25790049
负责人：
KOSEMURA Daisuke
金额：
$2.5万
依托单位：
Meiji University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25790049/
关键词：
III-V化合物半導体GaN非極性面液浸ラマン分光法表面増強ラマン分光法フォノンウルツ鉱構造カソードルミネッセンス化合物半導体パワーデバイス異方性応力フォノン変形ポテンシャル

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Oil-Immersion Raman Spectroscopy for c-Plane GaN on Si and Al2O3 substrates
Si 和 Al2O3 衬底上 c 面 GaN 的油浸拉曼光谱
DOI： --
发表时间： 2015
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [R. Imai, D. Kosemura, and A. Ogura]
通讯作者： and A. Ogura
局在プラズモン共鳴を用いたラマン分光法におけるひずみSi表面のAg粒子被覆率と信号増強の関係
应变 Si 表面上的银颗粒覆盖度与局域等离子体共振拉曼光谱信号增强之间的关系
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [木嶋隆浩, 山本章太郎, 横川凌, 武内一真, 村上達美, 小瀬村大亮, 小椋厚志]
通讯作者： 小椋厚志
表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起
通过表面增强拉曼光谱在应变 SiGe 薄膜中激发 LO/TO 声子
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [山本章太郎, 小瀬村大亮, シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ, 木嶋隆浩, 今井亮佑, 臼田宏治, 小椋厚志]
通讯作者： 小椋厚志
Evaluation of Anisotropic Biaxial stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
利用油浸拉曼光谱评估 Si1-xGex/Ge 台面结构中的各向异性双轴应力
DOI： --
发表时间： 2015
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura K. Usuda, and A. Ogura]
通讯作者： and A. Ogura
共 15 条
    Study of High-Spatial Resolution Strain Measurements in Semiconductor Devices Using Tip-Enhanced Raman Spectroscopy
    • 批准号：
      23860051
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.91万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      KOSEMURA Daisuke
    • 依托单位：
      Meiji University
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘梦涵
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
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    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      戴厚富
    • 依托单位：
      汕头大学