Examination of anisotropic stress state evaluation in III-V compound semiconductors by oil-immersion Raman spectroscopy

通过油浸拉曼光谱评估 III-V 族化合物半导体各向异性应力状态的检验

• 批准号: 25790049
• 负责人: KOSEMURA Daisuke
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Meiji University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25790049/
• 关键词: III-V化合物半導体; GaN; 非極性面; 液浸ラマン分光法; 表面増強ラマン分光法; フォノン; ウルツ鉱構造; カソードルミネッセンス; 化合物半導体; パワーデバイス; 異方性応力; フォノン変形ポテンシャル

项目成果

Oil-Immersion Raman Spectroscopy for c-Plane GaN on Si and Al2O3 substrates

Si 和 Al2O3 衬底上 c 面 GaN 的油浸拉曼光谱

• 发表时间: 2015
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: R. Imai;D. Kosemura;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura

局在プラズモン共鳴を用いたラマン分光法におけるひずみSi表面のAg粒子被覆率と信号増強の関係

应变 Si 表面上的银颗粒覆盖度与局域等离子体共振拉曼光谱信号增强之间的关系

• 发表时间: 2015
• 作者: 木嶋隆浩;山本章太郎;横川凌;武内一真;村上達美;小瀬村大亮;小椋厚志
• 通讯作者: 小椋厚志

表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起

通过表面增强拉曼光谱在应变 SiGe 薄膜中激发 LO/TO 声子

• 发表时间: 2014
• 作者: 山本章太郎;小瀬村大亮;シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ;木嶋隆浩;今井亮佑;臼田宏治;小椋厚志
• 通讯作者: 小椋厚志

Evaluation of Anisotropic Biaxial stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

利用油浸拉曼光谱评估 Si1-xGex/Ge 台面结构中的各向异性双轴应力

• 发表时间: 2015
• 期刊: ECS Transactions
• 作者: S. Yamamoto;K. Takeuchi;R. Yokogawa;M. Tomita;D. Kosemura K. Usuda;and A. Ogura
• 通讯作者: and A. Ogura

銀ナノ粒子による電場増強効果を用いたGaN最表面のラマン測定

利用银纳米颗粒的电场增强效应对 GaN 最外表面进行拉曼测量

• 发表时间: 2014
• 作者: 今井亮佑;小瀬村大亮;永田晃基;シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ;木嶋隆浩;山本章太郎;小椋厚志
• 通讯作者: 小椋厚志