積層薄膜構造導入による次世代超伝導加速空洞開発のための新成膜手法の開発

通过引入层压薄膜结构开发一种新的薄膜沉积方法，用于开发下一代超导加速腔

基本信息

批准号：
23H00125
负责人：
片山領
金额：
$ 31.62万
依托单位：
High Energy Accelerator Research Organization
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23H00125/
关键词：
薄膜成膜超伝導空洞

项目摘要

项目成果

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