Elucidation and control of the mechanism of magnetism in magnetic semiconductors with the high Curie temperature

高居里温度磁性半导体磁性机理的阐明与控制

• 批准号: 24860014
• 负责人: AKIYAMA Ryota
• 金额: $ 1.91万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-08-31 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24860014/
• 关键词: ゲート素子; スピントロニクス; 電界効果; 磁性; イオン液体; 強磁性; カルコゲナイド; 磁性半導体; 酸化膜; 界面効果; 磁気異方性

In this theme, we aimed to develop the spin-device showing low consumption of energy and enabling high speed and large capacity information processing using magnetic semiconductors with high Curie temperature. The magnetism in the device can be controlled by applying gate voltages. Before (Zn,Cr)Te, we successfully modulated the magnetism (magnitude of the magnetization) in Cr1-xTe whose magnetization shows the distinct curve by making gating devices using an ion liquid. Applying that method to (Zn,Cr)Te, we successfully modulated the magnetism in (Zn,Cr)Te, especially coercivity by gate voltages. These results led the clues of the magnetism in (Zn,Cr)Te.

在本课题中，我们的目标是开发使用居里温度高的磁性半导体的低能耗和高速大容量信息处理的自旋器件。器件中的磁性可以通过施加栅极电压来控制。在（Zn，Cr）Te之前，我们通过使用离子液体制作门控器件，成功地调制了Cr_（1-x）Te的磁性（磁化强度的大小），其磁化强度呈现出明显的曲线。将此方法应用于（Zn，Cr）Te，成功地实现了对（Zn，Cr）Te磁性的调制，特别是对（Zn，Cr）Te磁性的调制。这些结果为（Zn，Cr）Te的磁性提供了线索。

项目成果

トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜における輸送現象測定

拓扑晶体绝缘体 SnTe 薄膜中输运现象的测量

• 作者: 石川諒;秋山了太;金澤研;黒田眞司;小林豪毅;土門武，石塚智史，秋山了太，金澤研，黒田眞司;林昌奎;及川晴義，秋山了太，百瀬峻，黒田眞司;秋山了太，藤澤和輝，黒田眞司
• 通讯作者: 秋山了太，藤澤和輝，黒田眞司

PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROY IN ULTRA THIN GdFeCo SPUTTERED FILMS

超薄 GdFeCo 溅射薄膜中的垂直磁各向异性

• 发表时间: 2013
• 作者: Y. Ashizawa;H. Oikawa;A. Tsukamoto;K. Nakagawa;R. Akiyama;K. Kanazawa;S. Kuroda;and N. Ota
• 通讯作者: and N. Ota

Effect of acceptor co-doping on magnetism and electronic states in ferromagnetic semiconductor (Zn,Cr)Te

受主共掺杂对铁磁半导体(Zn,Cr)Te磁性和电子态的影响

• DOI: 10.1002/pssc.201300755
• 发表时间: 2014
• 期刊: Physica Status Solidi (c)
• 作者: K. Zhang;R. Akiyama;K. Kanazawa;S. Kuroda;H. Ofuchi
• 通讯作者: H. Ofuchi

MBEにより成長した希薄磁性半導体(ZnFe)Teの結晶構造と磁気特性

MBE生长的稀磁半导体(ZnFe)Te的晶体结构和磁性能

• 发表时间: 2013
• 作者: S. Castelletto;B. C. Johnson;V. Ivády;N. Stavrias;T. Umeda;A. Gali;T. Ohshima;西村拓,金澤研,吉田昭二,重川秀実,黒田眞司;石塚智史,土門武,秋山了太,金澤研,黒田眞司,三留正則,板東義雄,大渕博宣
• 通讯作者: 石塚智史,土門武,秋山了太,金澤研,黒田眞司,三留正則,板東義雄,大渕博宣

希薄磁性半導体(Zn,Co)O 薄膜のn 型ドーピングによる磁性の変化

稀磁半导体 (Zn,Co)O 薄膜 n 型掺杂引起的磁性变化

• 发表时间: 2013
• 作者: 石川諒;秋山了太;金澤研;黒田眞司
• 通讯作者: 黒田眞司