Investigation of effect of domain structure to large piezoelectricity in ferroelectric-antiferroelectric phase boundary

铁电-反铁电相界中磁畴结构对大压电效应的研究

基本信息

  • 批准号:
    25889025
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-08-30 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Enhanced Piezoresponse in (Bi,Sm)FeO3 Films at a Morphotropic Phase Boundary for Piezo-MEMS Devices
压电 MEMS 器件在同形相边界处增强 (Bi,Sm)FeO3 薄膜的压电响应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shintaro Yasui;Yoshitaka Ehara;Takahisa Shiraishi;Takao Shimizu;Hiroshi Funakubo;Mitsuru Itoh;Yasuhiko Imai;Hiroo Tajiri;Osami Sakata;and Ichiro Takeuchi
  • 通讯作者:
    and Ichiro Takeuchi
MOCVD法により作製したBiFeO3基固溶体 エピタキシャル薄膜の結晶構造と圧電特性
MOCVD法制备BiFeO3基固溶体外延薄膜的晶体结构及压电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shintaro Yasui;Shintaro Yasui;安井伸太郎
  • 通讯作者:
    安井伸太郎
Design of Lead-free Ferroelectric/Piezoelectric Thin Films
无铅铁电/压电薄膜的设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shintaro Yasui
  • 通讯作者:
    Shintaro Yasui
Perovskite 型構造圧電体薄膜の開発~未来材料へ向けて~
钙钛矿型结构压电薄膜的开发~迈向未来材料~
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安井伸太郎;舟窪浩;伊藤満
  • 通讯作者:
    伊藤満
Piezoresponse behavior at a Morphotropic Phase Boundary in (Bi, Sm)FeO_3 Films
(Bi, Sm)FeO_3 薄膜中同形相边界的压电响应行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shintaro Yasui;Yoshitaka Ehara;Takahisa Shiraishi;Takao Shimizu;Hiroshi Funakubo;Mitsuru Itoh;Yasuhiko Imai;Hiroo Tajiri;Osami Sakata;and Ichiro Takeuchi
  • 通讯作者:
    and Ichiro Takeuchi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

YASUI Shintaro其他文献

YASUI Shintaro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('YASUI Shintaro', 18)}}的其他基金

Control of polarization switching in tetrahedral ferroelectrics by thin film forming with application of strain
通过施加应变薄膜形成来控制四面体铁电体的极化切换
  • 批准号:
    15K18212
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

似て非なる分子からなる固溶型分子強誘電体の実現
相似但不同分子组成的固溶体型分子铁电材料的实现
  • 批准号:
    23K23322
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体基板上に成膜した強磁性薄膜における磁気特性の評価とその発現機構の解明
铁电基板上沉积的铁磁薄膜的磁性能评估及其表现机制的阐明
  • 批准号:
    24K08198
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電体KTN混晶の温度-電場-濃度相図と誘電チューナブル材料への応用
铁电KTN混晶的温度-电场-浓度相图及其在介电可调材料中的应用
  • 批准号:
    24K06918
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ウルツ鉱型強誘電体における分極反転ドメイン境界の解明と欠陥エンジニアリング
纤锌矿型铁电体中极化反转域边界和缺陷工程的阐明
  • 批准号:
    24K01170
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティングの実証と高性能化
使用铁电器件进行储层计算的演示和性能改进
  • 批准号:
    24KJ0561
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁気活性キラル強誘電体の物質開発と新規電磁応答の開拓
磁活性手性铁电材料的开发和新电磁响应的开发
  • 批准号:
    24K00575
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノスケール強誘電体の分極回転ダイナミクスを利用した巨大分極結合効果の発現
利用纳米级铁电体极化旋转动力学表达巨极化耦合效应
  • 批准号:
    23K22793
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電・反強誘電体トランジスタを用いたリアルタイム学習ハードウェアの基盤構築
使用铁电和反铁电晶体管为实时学习硬件奠定基础
  • 批准号:
    23K20951
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
2次元構造秩序の自己組織化に着目した濃厚環境下の強誘電体薄膜成長メカニズム
聚焦二维结构有序自组织的集中环境下铁电薄膜生长机制
  • 批准号:
    23K23031
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体薄膜上でのチエノチオフェン系薄膜の成長制御とメモリデバイス応用
铁电薄膜上基于噻吩并噻吩的薄膜的生长控制和存储器件应用
  • 批准号:
    24K07582
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了