Characterization of in-plane photoconductivity of InAs QDs layers and its application to photoconductive antenna
Characterization of in-plane photoconductivity of InAs QDs layers and its application to photoconductive antenna
InAs量子点层面内光电导特性及其在光电导天线中的应用
批准号：
26889043
负责人：
Kumagai Naoto
金额：
$1.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-08-29 至 2016-03-31
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超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導
超快载流子弛豫InAs量子点堆叠结构中的面内光电导
超快载流子弛豫InAs量子点堆叠结构中的面内光电导
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[熊谷直人, 村雲圭佑, 北田貴弘, 井須俊郎]
通讯作者：
井須俊郎
歪緩和InGaAs層に埋め込んだInAs量子ドット層の面内光伝導特性
嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的 InAs 量子点层的面内光电导特性
嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的 InAs 量子点层的面内光电导特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎]
通讯作者：
井須 俊郎
1.5umパルス励起によるInAs量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流
1.5um脉冲激励下InAs量子点光电导天线结构中的光电流
1.5um脉冲激励下InAs量子点光电导天线结构中的光电流
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村雲圭祐, 熊谷直人, 蘆翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎]
通讯作者：
井須俊郎
量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制
量子点光电导开关台面处理抑制暗电流
量子点光电导开关台面处理抑制暗电流
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村雲圭佑, 山岡裕也, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎]
通讯作者：
井須俊郎
In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer
嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的 InAs 量子点的面内光电导
嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的 InAs 量子点的面内光电导
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu]
通讯作者：
and Toshiro Isu
共 11 条
Realization of directional micro-LED by bottom-up technique
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批准号：20K04589
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：Kumagai Naoto
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依托单位：
Application of InAs quantum dots with ultrafast carrier relaxation to terahertz wave detection devices
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批准号：16K06266
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2016
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负责人：Kumagai Naoto
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依托单位：