Application of InAs quantum dots with ultrafast carrier relaxation to terahertz wave detection devices
Application of InAs quantum dots with ultrafast carrier relaxation to terahertz wave detection devices
批准号:
16K06266
负责人:
Kumagai Naoto
金额:
$3.16万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光電流スペクトルの温度依存性
快速载流子弛豫InAs量子点堆叠结构面内光电流谱的温度依赖性
DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[熊谷直人, 盧翔孟, 南康夫, 北田貴弘]
通讯作者:
北田貴弘
Lateral Photocurrent Spectroscopy of Stacked InAs QDs Layers in Embedded Strain-Relaxed InGaAs Matrix
嵌入式应变松弛 InGaAs 基体中堆叠 InAs QD 层的横向光电流光谱
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, and Takahiro Kitada]
通讯作者:
and Takahiro Kitada
Realization of directional micro-LED by bottom-up technique
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批准号:20K04589
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2020
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负责人:Kumagai Naoto
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依托单位:
Characterization of in-plane photoconductivity of InAs QDs layers and its application to photoconductive antenna
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批准号:26889043
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.75万
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财政年份:2014
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负责人:Kumagai Naoto
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依托单位:
海外基金