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Application of InAs quantum dots with ultrafast carrier relaxation to terahertz wave detection devices
超快载流子弛豫InAs量子点在太赫兹波探测器件中的应用
基本信息
- 批准号：16K06266
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光電流スペクトルの温度依存性
快速载流子弛豫InAs量子点堆叠结构面内光电流谱的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：熊谷直人;盧翔孟;南康夫;北田貴弘
- 通讯作者：北田貴弘
Lateral Photocurrent Spectroscopy of Stacked InAs QDs Layers in Embedded Strain-Relaxed InGaAs Matrix
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- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Naoto Kumagai;Xiangmeng Lu;Yasuo Minami;and Takahiro Kitada
- 通讯作者：and Takahiro Kitada
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- 作者：
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Kitada Takahiro
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