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負の電子親和力表面の設計と電子放出過程の研究

負の電子親和力表面の設計と電子放出過程の研究
负电子亲和势表面设计及电子发射过程研究
批准号：
14350003
负责人：
斉木 幸一朗
金额：
$6.08万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2002
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2002 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14350003/
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炭素系特異磁性の発現とその起源
  • 批准号：
    19656012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    斉木 幸一朗
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
単一ドメイン有機薄膜の電界効果電気伝導度測定
  • 批准号：
    04F04073
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    斉木 幸一朗
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
高度界面制御有機・無機複合構造による量子物性の発現と応用
  • 批准号：
    14GS0207
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Creative Scientific Research
  • 资助金额：
    $336.88万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    斉木 幸一朗
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とその物性の解明
  • 批准号：
    07213207
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    斉木 幸一朗
  • 依托单位：
    The University of Tokyo