高度界面制御有機・無機複合構造による量子物性の発現と応用
通过高度界面控制的有机/无机复合结构表达和应用量子物理性质
基本信息
- 批准号:14GS0207
- 负责人:
- 金额:$ 336.88万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Creative Scientific Research
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2006
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
高度に制御された有機無機ヘテロ界面を実現し,電界による電荷注入や界面相互作用における多体効果による新奇量子現象の発現を最終目標として今年度は以下の研究を行なった.また,最終年度としての総括もおこなった.金属-有機物界面の電荷注入過程と電荷極性の相関;同一試料に対して薄膜成長中のFET測定,電子分光による薄膜評価が行なえるシステムを改良し,FETにおけるキャリアの極性と電子状態の変化を詳細に追跡した.その結果,電荷極性は金属のフェルミ準位と有機半導体のHOMO-LUMOギャップの相対位置関係により決まり,有効チャネル伝導度は界面のエネルギー障壁に対して指数関数的に変化することを初めて実験的に実証した.有機薄膜表面形態と電気伝導現象の相関;先年度に開発した,同一試料に対してFET測定とAFMによる薄膜形態測定が可能な装置を用いて,ペンタセン薄膜の形態安定性と伝導度の相関を詳細に追究した.その結果,形態変化を齎す分子移動は界面第1-2層目の境界から生起することが明らかになった.薄膜の安定化を図るためには第2層の結晶系の制御が重要であることは当該分野での大きな指針となる.ベンゼンの重合によるナノグラフェンの合成とエッジ状態,磁気秩序;ベンゼンの重合によるナノグラフェンについて,STM観察によりエッジの構造について詳細に探究した結果,本手法により作製されたナノグラフェンの端は70%以上の確率でジグザグ端であることが判明した.STM像のバイアス依存性から,ジグザグ端にはフェルミ面近傍に状態を持つことが明らかとなり,従前の分光学的な結果と整合した.また,高分解能電子エネルギー損失分光から,ジグザグ端には水素原子が1あるいは2個吸着した状態があることがわかった.これらの結果および磁気光学カー効果の結果について理論的な検討をおこなった.
The final goal of this year's research is to develop novel quantum phenomena through the interaction of highly controlled organic-inorganic interfaces and charge injection interfaces. The final year of the year is the year of the year. Charge injection process at metal-organic interface is correlated with charge polarity; FET measurement, electron spectroscopy, thin film evaluation, improvement,FET polarization, and electron state variation are traced in detail for the same sample. As a result, the charge polarity of the metal is determined by the relative position relationship between the metal and the organic semiconductor HOMO-LUMO. The correlation between the surface morphology and electrical conductivity of organic thin films was investigated in detail. As a result, the morphology changes and the molecules move to the first and second layers of the interface. The stabilization of thin films is important for the control of the crystalline system of the second layer. The coincidence of the elements and the synthesis of the elements and the magnetic order; The result of detailed investigation of STM image structure is that the accuracy rate of STM image overlap is more than 70%.STM image overlap dependency is higher than STM image overlap. STM image overlap is higher than STM image overlap.STM image The results of the previous optical analysis were integrated. High resolution electron loss spectroscopy, high resolution electron loss spectroscopy, high resolution electron loss spectroscopy The results of this research are discussed in detail.
项目成果
期刊论文数量(65)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Femtosecond depolarization dynamics of tris (8-hydroxyquinoline) aluminum films
三(8-羟基喹啉)铝膜的飞秒去极化动力学
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N. Ogawa;A. Miyata;H. Tamaru;T. Suzuki;T. Shimada;T. Hasegawa;K. Saiki;and K. Miyano
- 通讯作者:and K. Miyano
Effect of the organic buffer Layer on the performance of apentacene field effect transistor fabricated on a natural micagate dielectric
有机缓冲层对天然云母栅电介质上制作的并五苯场效应晶体管性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Matsumoto;R;Onoki;K. Saiki;S. Ikeda and K. Ueno
- 通讯作者:S. Ikeda and K. Ueno
Graphoepitaxy of sexithiophene on thermally-oxidized silicon surface with artificial periodic grooves
六噻吩在人工周期性沟槽热氧化硅表面的图形外延
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Ikeda;K Saiki;K. Tsutsui;T. Edura;Y. Wada;H. Miyazoe;K. Terashima;K. Inaba;T. Mitsunaga;and T. Shimada
- 通讯作者:and T. Shimada
Pulsed-molecular beam scattering of a planar-shaped organic molecule on regularly stepped surfaces of hydrogen terminated Si (111)
平面有机分子在氢封端 Si 的规则阶梯表面上的脉冲分子束散射 (111)
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Shimada;H. Ichikawa;K. Saiki
- 通讯作者:K. Saiki
Analysis of transient phenomena of C_<60> field effect transistors
C_<60>场效应晶体管瞬态现象分析
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Miyadera;M. Nakayama;K. Saiki
- 通讯作者:K. Saiki
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- 影响因子:0
- 作者:
小幡 誠司;佐藤 稔;斉木 幸一朗 - 通讯作者:
斉木 幸一朗
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