単一ドメイン有機薄膜の電界効果電気伝導度測定

单畴有机薄膜的场效应电导率测量

基本信息

  • 批准号:
    04F04073
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.54万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2005
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

有機半導体を用いた電界効果トランジスタ(FET)の動作に影響を及ぼす粒界や雰囲気(水,酸素など)の存在を排除した単一ドメイン内での真性の電界効果電気伝導特性を研究するため、昨年度作製した装置(有機薄膜作製用の高真空チャンバーから高真空原子間力顕微鏡(AFM)まで真空を破ることなく試料搬送でき、高真空AFM中で薄膜形状を観察すると同時にFET特性も測定可能な装置)を用い、更に実験を進めた。有機半導体としては現在最も実用化の可能性が高く注目されているペンタセンを用い、予めチャネル長2μmの微小電極が作製された熱酸化シリコン基板上にペンタセン薄膜を分子線蒸着法で成長させた。上記チャネルをまたぎソース・ドレイン電極に接合する単一ドメインを成長させるため、基板処理条件、蒸着時基板温度、蒸着速度の最適条件を探索し、ソース・ドレイン電極と接合する単一ドメインペンタセンの成長に成功した。しかしながら、この試料では十分なFET特性が得られず、その原因としては、電極とペンタセンの接合の問題、単一ドメインを流れる微小電流を精度よく測定するための電気測定系の問題などが考えられた。また、単一ドメインFETと多結晶FETとの特性比較を行うために、多結晶ペンタセンFETの実験も平行して行った。この研究において、(1)薄膜成長速度と多形の構成比率の関係、並びにキャリア移動度に及ぼす影響、(2)成膜後の分子の脱離と凝集の影響、(3)粒界や結晶子サイズの影響等に着目して、AFM観察、X線回折測定、FET測定により詳細に解析し、ペンタセンFETに関して混乱していた様々な解釈を統一的に理解にする筋道をつくることができた。更に、マルチトラップモデルを用いたトラップ密度の推定からペンタセンがもつ潜在的可能性(一般に考えられているよりも更に大きな移動度発現の可能性)を示した。
Organic semiconductors use electric field effects (FET) to affect the action and particle boundary conditions (water, acid element).のExistenceをExclusionした単一ドメイン内での真性のElectric Realm Effect Electric 気伝Conduction CharacteristicsをResearchするため、Last year's production device (with High-vacuum inter-atomic force micromirror (AFM) for high-vacuum thin film production and sample transport , The thin film shape can be observed in high vacuum AFM. At the same time, the FET characteristics can be measured using a device that can be used and updated. Organic semiconductors are currently the most likely to be commercialized and are attracting attention. 2μm micro-electrodes are produced by thermally acidifying the silicone substrate and growing them by molecular wire evaporation. In the above description, the bonding conditions of the electrodes and the growth of the electrodes, the substrate processing conditions, and the substrate during evaporation are mentioned above. The optimal conditions for temperature and steaming speed were explored, and the growth of the ソース・ドレイン electrode and the joint were successfully achieved. FET characteristics, FET characteristics, reason, electrode jointのquestion, 一一ドメインを流れる微电 precision よくmeasurementするための电気measurement systemのquestionなどが考えられた.また, 単一ドメインFET and polycrystalline FETとの characteristics comparison を行うために, polycrystalline FETの実験もparallel して行った.このResearch on the relationship between film growth rate and polymorphic composition ratio, and びにキャリアmobility (2) The influence of detachment and aggregation of molecules after film formation, (3) The influence of crystallization of grain boundaries Detailed analysis, AFM inspection, X-ray deflection measurement, and FET measurement FET is closed and chaotic, and it is clear and unified. More information, use the density of the malware to predict the potential of the malware. The possibility (generally the possibility of the movement being changed) is shown.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effect of annealing on the mobility and morphology of thermally activated pentacene thin film transistors
  • DOI:
    10.1063/1.2193055
  • 发表时间:
    2006-05-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Guo, D;Ikeda, S;Terashima, K
  • 通讯作者:
    Terashima, K
Pentacene films grown on surface treated SiO_2 substrates
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Ashraf Hossain;Hiroyuki Takeya;D.Guo;D.Guo
  • 通讯作者:
    D.Guo
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  • DOI:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takanobu Taira;Seiji Obata;Koichiro Saiki;斉木幸一朗,寺澤知潮;T. Terasawa and K. Saiki;斉木 幸一朗
  • 通讯作者:
    斉木 幸一朗
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉田 雅史;斉木 幸一朗;上野 啓司;宮脇亜子;種村眞幸;種村眞幸;種村眞幸;宮脇亜子;宮脇亜子;沓名正樹
  • 通讯作者:
    沓名正樹
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉田 雅史;斉木 幸一朗;上野 啓司;宮脇亜子;種村眞幸;種村眞幸;種村眞幸;宮脇亜子;宮脇亜子;沓名正樹;宮脇亜子;沓名正樹;宮脇 亜子;沓名 正樹;宮脇 亜子;宮脇 亜子;沓名 正樹;宮脇 亜子
  • 通讯作者:
    宮脇 亜子
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    $ 1.54万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 1.54万
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知道了