深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

使用深紫外近场光谱阐明超宽带隙半导体的物理性质

• 批准号: 15H02013
• 负责人: 川上 養一
• 金额: $ 9.15万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15H02013/
• 关键词: 近接場光学; 深紫外分光; 超ワイドギャップ半導体

本研究は，深紫外（波長：210～300nm）領域で分光計測が可能な近接場光学顕微鏡（SNOM）技術を開発し，AlGaNナノ構造，BN系半導体，ダイヤモンドなどの超ワイドギャップ半導体における励起子や励起子分子などのキャリア素励起（準粒子）の空間・時間ダイナミクスを明らかにすることを目的に，平成27年度より研究をスタートした。しかしながら，開始から数か月で基盤研究（S）に採択されたため，規定によって交付決定の一部取り消しを行うこととなった。このような事情のため，研究実施はごく短期間ではあったが，深紫外SNOMファイバープローブについて，ファイバー材質と形状の最適化によって波長200nmまでの高透過率特性を実験的に検証することに成功しており，所期の目的の一部を達成することができた。

This study was conducted in deep ultraviolet (Wavelength: 210~300nm) Field spectrometer measurement possible Near-field optical micromirrors (SNOM) technology development, AlGaN structure, BN semiconductor, semiconductor excitation, excitation, molecular excitation (quasiparticle) space and time, research in 2007. A few months later, the base plate study (S) was completed and a part of the delivery decision was cancelled. This research has been successful in achieving some of the desired goals in the short term by optimizing the material and shape of the deep UV SNOM and achieving high transmittance characteristics at a wavelength of 200nm.