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深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明
使用深紫外近场光谱阐明超宽带隙半导体的物理性质
批准号：
15H02013
负责人：
川上 養一
金额：
$9.15万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15H02013/
关键词：
近接場光学深紫外分光超ワイドギャップ半導体

项目摘要

项目成果

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本研究は，深紫外（波長：210～300nm）領域で分光計測が可能な近接場光学顕微鏡（SNOM）技術を開発し，AlGaNナノ構造，BN系半導体，ダイヤモンドなどの超ワイドギャップ半導体における励起子や励起子分子などのキャリア素励起（準粒子）の空間・時間ダイナミクスを明らかにすることを目的に，平成27年度より研究をスタートした。しかしながら，開始から数か月で基盤研究（S）に採択されたため，規定によって交付決定の一部取り消しを行うこととなった。このような事情のため，研究実施はごく短期間ではあったが，深紫外SNOMファイバープローブについて，ファイバー材質と形状の最適化によって波長200nmまでの高透過率特性を実験的に検証することに成功しており，所期の目的の一部を達成することができた。
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会议论文
Light emitting synthesizer : aiming to create the ultimate lighting devices
  • 批准号：
    20H05622
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 资助金额：
    $359.01万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    川上 養一
  • 依托单位：
    Kyoto University
ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
  • 批准号：
    20H00351
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $28.95万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    川上 養一
  • 依托单位：
    Kyoto University
AlGaN/AlN量子井戸を用いた高効率深紫外発光素子の作製
  • 批准号：
    10F00368
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    川上 養一
  • 依托单位：
    Kyoto University
InGaN系量子ディスクにおける再結合過程の解明と制御
  • 批准号：
    10F00066
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    川上 養一
  • 依托单位：
    Kyoto University
海外基金