Area Cultivation of Amorphous Electrides

非晶态电子化合物的区域培养

• 批准号: 17H01228
• 负责人: 細野 秀雄
• 金额: $ 27.62万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01228/
• 关键词: アモルファス; エレクトライド; 薄膜; 半導体物性

アモルファスC12A7エレクトライドの光学的・電気的性質を検討するために薄膜試料を作製した。具体的にはC１２A７エレクトライドの緻密なセラミックスターゲットをSPSで作製し、これを用いて高周波スパッターリングによってシリカガラス基板上に50-200nmの厚さの薄膜を堆積した。スパッターガスには１００％アルゴンを用いた。薄膜X線開設測定から試料はアモルファスであることを確認した。光学吸収を測定したところ、2eVと4eV付近に2つの吸収帯が観測された。結晶ではメインであった2eVの吸収帯は、アモルファス薄膜では強度が小さく,4eVバンドがメインとなった。その結果、アモルファス薄膜は透明性が高く、光学的用途には適していることが分かった。

The optical and electrical properties of C12A7 film samples were investigated. Specifically, C12A7 thin films with a thickness of 50-200nm are deposited on the substrate using SPS. She can use 100% of her phone calls. Film X-ray measurement Optical absorption measurement: 2eV ~ 4eV The crystal has a small absorption band of 2eV and a small strength of 4eV. As a result, the film has high transparency and optical applications.