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Area Cultivation of Amorphous Electrides

Area Cultivation of Amorphous Electrides
非晶态电子化合物的区域培养
批准号：
17H01228
负责人：
細野 秀雄
金额：
$27.62万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01228/
关键词：
アモルファスエレクトライド薄膜半導体物性

项目摘要

项目成果

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アモルファスC12A7エレクトライドの光学的・電気的性質を検討するために薄膜試料を作製した。具体的にはC１２A７エレクトライドの緻密なセラミックスターゲットをSPSで作製し、これを用いて高周波スパッターリングによってシリカガラス基板上に50-200nmの厚さの薄膜を堆積した。スパッターガスには１００％アルゴンを用いた。薄膜X線開設測定から試料はアモルファスであることを確認した。光学吸収を測定したところ、2eVと4eV付近に2つの吸収帯が観測された。結晶ではメインであった2eVの吸収帯は、アモルファス薄膜では強度が小さく,4eVバンドがメインとなった。その結果、アモルファス薄膜は透明性が高く、光学的用途には適していることが分かった。
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  • 批准号：
    18F18361
  • 项目类别：
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  • 资助金额：
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  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    細野 秀雄
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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  • 财政年份：
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  • 负责人：
    細野 秀雄
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  • 财政年份：
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  • 负责人：
    細野 秀雄
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    細野 秀雄
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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