透明酸化物半導体をベースとする紫外発光ダイオードの試作(マスターデータと齟齬)

基于透明氧化物半导体的紫外发光二极管原型（与主数据存在差异）

• 批准号: 05F05143
• 负责人: 細野 秀雄
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05F05143/
• 关键词: 透明酸化物半導体; エピ成長; キャリア吸収; P型半導体; ウイスカー; ナノワイヤー

透明P型酸化物半導体で、かつ室温で安定な励起子を有する物質としてLaCuOSeを取り上げ、そのエピタキシャル薄膜の作成と光・電子物性め検討をおこなった。1.基板としてMgO(001)を用いて、金属のCu層を3nm程度下地に敷き、その上にR-SPE法によってエピ薄膜を成長させることに成功した。2.正孔濃度が薄膜の厚さによって顕著に減少することを見出した。薄膜の厚みが100nmでは、2x10^<20>cm^<-3>であるが、40nmになると2x1021cm^<-3>まで増大した。移動度は3-4cm^2(Vs)-<-1>で変化がなかった。1021cm-3まで正孔濃度が増大したことによって、P型透明半導体の薄膜において、初めて自由電子キャリアの吸収が明瞭に観察され、それをDrude-Lorentzモデルで解析することで、有効質量、運動量緩和時間など電子輸送パラメータを抽出することができた。3.2で得られた薄膜試料を使って、有機EL素子のホール注入電極としての応用を検討した。表面クリーニングをおこなうことで仕事関数が5eVというかなり高い値が得られた。ITOよりもホール注入を速やかにおこなえる可能性が示唆されたといえよう。

Transparent p-type semiconductor で acidification, か つ で stability at room temperature な excitation screwdriver を have す る material と し て LaCuOSe を take り げ, そ の エ ピ タ キ シ ャ の ル film made と light, electronic property め beg を 検 お こ な っ た. 1. Substrate と し て MgO style (001) を い て, metal の を Cu layer 3 nm level down に apply き, そ の に on R - SPE method に よ っ て エ を ピ film growth さ せ る こ と に successful し た. 2. The concentration of the positive hole is が, the thickness of the <s:1> film is さによって顕, the に is significantly reduced, the する た とを is seen, and the た た is observed. Thick film の み が 100 nm で は, 2 x10 ^ < > 20 cm ^ 3 > < - で あ る が, 40 nm に な る と x1021cm 2 ^ < - > 3 ま で raised large し た. The range of motion is で 3-4cm^2(Vs)-<-1>で variation がな った. 1021 cm - 3 ま で are large concentration が raised し た こ と に よ っ て, p-type transparent semiconductor の film に お い て, early め て free electrons キ ャ リ ア の suction 収 が clear に 観 examine さ れ, そ れ を Drude - Lorentz モ デ ル で parsing す る こ と で, services quality, exercise time な ど electronic transmission パ ラ メ ー タ を spare す る Youdaoplaceholder0 とがで た. 3.2 で have ら れ た film sample を make っ て, organic EL element の ホ ー ル injection electrode と し て の 応 with を beg し 検 た. Surface ク リ ー ニ ン グ を お こ な う こ と で shi what masato number が 5 ev と い う か な り high い numerical が must ら れ た. ITO よ り も ホ ー ル injection を speed や か に お こ な え が る possibility in stopping さ れ た と い え よ う.