透明酸化物半導体をベースとする紫外発光ダイオードの試作(マスターデータと齟齬)

基于透明氧化物半导体的紫外发光二极管原型（与主数据存在差异）

• 批准号: 05F05143
• 负责人: 細野 秀雄
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05F05143/
• 关键词: 透明酸化物半導体; エピ成長; キャリア吸収; P型半導体; ウイスカー; ナノワイヤー

透明P型酸化物半導体で、かつ室温で安定な励起子を有する物質としてLaCuOSeを取り上げ、そのエピタキシャル薄膜の作成と光・電子物性め検討をおこなった。1.基板としてMgO(001)を用いて、金属のCu層を3nm程度下地に敷き、その上にR-SPE法によってエピ薄膜を成長させることに成功した。2.正孔濃度が薄膜の厚さによって顕著に減少することを見出した。薄膜の厚みが100nmでは、2x10^<20>cm^<-3>であるが、40nmになると2x1021cm^<-3>まで増大した。移動度は3-4cm^2(Vs)-<-1>で変化がなかった。1021cm-3まで正孔濃度が増大したことによって、P型透明半導体の薄膜において、初めて自由電子キャリアの吸収が明瞭に観察され、それをDrude-Lorentzモデルで解析することで、有効質量、運動量緩和時間など電子輸送パラメータを抽出することができた。3.2で得られた薄膜試料を使って、有機EL素子のホール注入電極としての応用を検討した。表面クリーニングをおこなうことで仕事関数が5eVというかなり高い値が得られた。ITOよりもホール注入を速やかにおこなえる可能性が示唆されたといえよう。

Transparent p-type acid semiconductor, stable at room temperature, stable at room temperature 1. MgO(001) was successfully deposited on the substrate with a Cu layer of about 3nm. 2. The thickness of the positive pore is reduced by the thickness of the film. The thickness of thin film is 100nm, 2x10^<20>cm^<-3>, 40nm, 2x1021cm^<-3>and larger. Movement degree 3-4cm^2(Vs)<-1>-. 1021cm-3, the positive pore concentration increases, the absorption of free electrons in the P-type transparent semiconductor thin film increases, and the absorption of free electrons in the film increases. 3.2 The thin film sample was prepared and the organic EL element was injected into the electrode. The surface of the film is divided into two parts: the surface is divided into three parts: the surface is divided into four parts The possibility of ITO