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Photon-field control of luminescent function of rare-earth ions in semiconductors

半导体中稀土离子发光功能的光子场控制

基本信息

批准号：
17H01264
负责人：
藤原康文
金额：
$ 28.29万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01264/
关键词：
希土類元素フォトン場制御発光機能

项目摘要

研究代表者は、従来の発光ダイオード(LED)とは全く発光原理が異なる、ユウロピウム(Eu)添加GaN (GaN:Eu)を用いた窒化物半導体狭帯域赤色LEDの開発に、世界に先駆けて成功している。本研究では、これまでの伝導帯・価電子帯間のインターバンド遷移による発光機能ではなく、希土類元素特有のイントラセンター遷移による発光機能に着目した「半導体イントラ・フォトニクスの開拓」を目的としている。この日本発オリジナルである「Eu添加GaNを用いた赤色LED」の超高輝度化を当面の目標に、半導体への原子レベル制御Eu添加手法を基盤として、フォトン場によるEu発光機能の究極的制御を実証することを目指している。　今年度に得られた成果は下記の通りである。【課題２】Eu添加GaNマイクロ光共振器の作製とEu発光機能の操作：Eu発光強度の増大を目的に、成長用基板をサファイアからn型GaNに変更し、LEDを作製する要素技術の確立に取り組んだ。Eu 発光波長に近い621.5 nmで最大反射率98.1 %を示すn型DBR の作製に成功した。

The research representatives believe that the development of narrow-band red LED with GaN (Eu) added in semiconductor is the first in the world to be successfully developed. The purpose of this study is to explore the light-emitting function of semiconductor in the light transmission and electron transfer between rare earth elements. The ultra-high brightness of "Eu doped GaN red LED" is aimed at achieving the ultimate control of Eu emission function in the semiconductor field by atomic emission control method. This year's achievements are recorded. [Topic 2] The fabrication of Eu doped GaN optical resonator and the operation of Eu emission function: the establishment of key technologies for the purpose of increasing Eu emission intensity, the growth of substrate, the transformation of n-type GaN, and the fabrication of LED. Eu emission wavelength near 621.5 nm, maximum reflectivity 98.1%, indicating that n-type DBR was successfully fabricated.

项目成果

期刊论文数量（38）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

半導体ナノワイヤの光機能と新展開

半导体纳米线的光学功能及新进展

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
舘林潤;藤原康文;荒川泰彦
通讯作者：
荒川泰彦

Eu 添加 GaN 波長超安定・狭帯域赤色 LED の新展開

新开发Eu掺杂GaN波长超稳定窄带红光LED

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤原康文;稲葉智宏;朱婉新;舘林潤
通讯作者：
舘林潤

Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN

使用 Eu 掺杂 GaN 的高效波长稳定红色发光二极管面临的挑战

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Fujiwara;T. Inaba;W. Zhu;B. Mitchell;T. Kojima;and T. Gregorkiewicz
通讯作者：
and T. Gregorkiewicz

Charge state of vacancy defects in Eu-doped GaN

Eu掺杂GaN中空位缺陷的电荷态

DOI：
10.1103/physrevb.96.064308
发表时间：
2017
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
B. Mitchell;N. Hernandez;D. Lee;A. Koizumi;Y. Fujiwara;and V. Dierolf
通讯作者：
and V. Dierolf

New development of narrow-band red LEDs using Eu-doped GaN - Intrinsic control and extrinsic control -

使用Eu掺杂GaN的窄带红色LED的新发展 - 内在控制和外在控制 -

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Acharya;T. Chujo et al. (ALICE Collaboration);Y. Fujiwara
通讯作者：
Y. Fujiwara

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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藤原康文其他文献

Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device

用于 AlN 深紫外波导 SHG 器件的输入聚焦光栅耦合器

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
山内あさひ;小松天太;池田和久;上杉謙二郎;正直花奈子;三宅秀人;彦坂年輝;布上真也;森川隆哉;藤原康文;上向井正裕;谷川智之;片山竜二;M. Uemukai，S. Yamaguchi，A. Yamauchi，D. Tazuke，A. Higuchi，R. Tanabe，T. Tanikawa，T. Hikosaka，S. Nunoue，Y. Hayashi，H. Miyake，Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka，M. Uemukai，T. Tanikawa，K. Uesugi，K. Shojiki，H. Miyake2，T. Morikawa，Y. Fujiwara and R. Katayama
通讯作者：
Y. Morioka，M. Uemukai，T. Tanikawa，K. Uesugi，K. Shojiki，H. Miyake2，T. Morikawa，Y. Fujiwara and R. Katayama

時間分解二光子光電子分光法を利用したInGaN/GaN量子井戸の励起電子緩和寿命の評価

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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
保田英洋

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DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
藤原康文

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DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
市川修平;藤原康文;小島一信
通讯作者：
小島一信

Optimization of annealing temperature to reduce contact resistance on p GaN toward fabrication of InGaN single mode laser

优化退火温度以降低 p GaN 上的接触电阻，以制造 InGaN 单模激光器

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
山内あさひ;小松天太;池田和久;上杉謙二郎;正直花奈子;三宅秀人;彦坂年輝;布上真也;森川隆哉;藤原康文;上向井正裕;谷川智之;片山竜二;M. Uemukai，S. Yamaguchi，A. Yamauchi，D. Tazuke，A. Higuchi，R. Tanabe，T. Tanikawa，T. Hikosaka，S. Nunoue，Y. Hayashi，H. Miyake，Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka，M. Uemukai，T. Tanikawa，K. Uesugi，K. Shojiki，H. Miyake2，T. Morikawa，Y. Fujiwara and R. Katayama;T. Komatsu，R. Noro，M. Uemukai，T. Tanikawa and R. Katayama;D. Tazuke，A. Higuchi，T. Hikosaka，T. Oka，S. Nunoue，M. Uemukai，T .Tanikawa and R. Katayama;A. Higuchi，D. Tazuke，T. Hikosaka， T. Oka，S. Nunoue，M. Uemukai，T. Tanikawa and R. Katayama
通讯作者：
A. Higuchi，D. Tazuke，T. Hikosaka， T. Oka，S. Nunoue，M. Uemukai，T. Tanikawa and R. Katayama