Photon-field control of luminescent function of rare-earth ions in semiconductors
Photon-field control of luminescent function of rare-earth ions in semiconductors
批准号:
17H01264
负责人:
藤原 康文
金额:
$28.29万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2019-03-31
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研究代表者は、従来の発光ダイオード(LED)とは全く発光原理が異なる、ユウロピウム(Eu)添加GaN (GaN:Eu)を用いた窒化物半導体狭帯域赤色LEDの開発に、世界に先駆けて成功している。本研究では、これまでの伝導帯・価電子帯間のインターバンド遷移による発光機能ではなく、希土類元素特有のイントラセンター遷移による発光機能に着目した「半導体イントラ・フォトニクスの開拓」を目的としている。この日本発オリジナルである「Eu添加GaNを用いた赤色LED」の超高輝度化を当面の目標に、半導体への原子レベル制御Eu添加手法を基盤として、フォトン場によるEu発光機能の究極的制御を実証することを目指している。 今年度に得られた成果は下記の通りである。【課題2】Eu添加GaNマイクロ光共振器の作製とEu発光機能の操作:Eu発光強度の増大を目的に、成長用基板をサファイアからn型GaNに変更し、LEDを作製する要素技術の確立に取り組んだ。Eu 発光波長に近い621.5 nmで最大反射率98.1 %を示すn型DBR の作製に成功した。
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半導体ナノワイヤの光機能と新展開
半导体纳米线的光学功能及新进展
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[舘林潤, 藤原康文, 荒川泰彦]
通讯作者:
荒川泰彦
Eu 添加 GaN 波長超安定・狭帯域赤色 LED の新展開
新开发Eu掺杂GaN波长超稳定窄带红光LED
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[藤原康文, 稲葉智宏, 朱婉新, 舘林潤]
通讯作者:
舘林潤
Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN
使用 Eu 掺杂 GaN 的高效波长稳定红色发光二极管面临的挑战
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Kojima, and T. Gregorkiewicz]
通讯作者:
and T. Gregorkiewicz
Charge state of vacancy defects in Eu-doped GaN
Eu掺杂GaN中空位缺陷的电荷态
DOI:
10.1103/physrevb.96.064308
发表时间:
2017
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[B. Mitchell, N. Hernandez, D. Lee, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf]
通讯作者:
and V. Dierolf
New development of narrow-band red LEDs using Eu-doped GaN - Intrinsic control and extrinsic control -
使用Eu掺杂GaN的窄带红色LED的新发展 - 内在控制和外在控制 -
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Acharya, T. Chujo et al. (ALICE Collaboration), Y. Fujiwara]
通讯作者:
Y. Fujiwara
共 26 条
New development of Semiconductors Intracenter Photonics
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批准号:23H05449
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$129.21万
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财政年份:2023
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
Development of ultimate rare-earth luminescence properties by reconfiguration of luminescence centers in rare-earth-doped semiconductors
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批准号:23H00185
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.37万
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财政年份:2023
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
Development of semiconductor intra-center photonics
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批准号:18H05212
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$407.93万
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财政年份:2018
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明
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批准号:24246056
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$13.98万
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财政年份:2012
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類添加半導体を基盤とした光ナノ共振器の作製と発光特性の評価
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批准号:19656082
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2007
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
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批准号:19018014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2007
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類添加半導体の励起・緩和機構の解明と波長超安定発光デバイス高性能化への応用
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批准号:18360150
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.87万
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财政年份:2006
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
Siベース発光デバイス用材料:β-FeSi2単結晶の作製とホモエピタキシャル成長
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批准号:17656108
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
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批准号:17042016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
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批准号:16031211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.33万
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财政年份:2004
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
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批准号:15034209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2003
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
希土類元素添加半導体における電流励起光学利得とその最適化
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批准号:15656004
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2003
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
高輝度フルカラーディスプレイ用希土類添加窒化物半導体のエピタキシャル成長と物性
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批准号:13875062
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物件
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批准号:11125209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1999
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
室温動作2〜3μm帯半導体レーザ用材料:Dy添加III-V族半導体の作製と発光特性
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批准号:10875070
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物性
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批准号:10138208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1998
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物性
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批准号:09244209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1997
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
異種結合界面を有する新機能量子材料の原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル成長
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批准号:07750348
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
III-V族化合物半導体へのDy原子層ド-ピングと室温動作2〜3μm帯レーザへの応用
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批准号:06750312
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1994
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负责人:藤原 康文
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依托单位:
原子層エピタキシャル法によるダイヤモンド/窒化ボロン超格子構造の作製と特性評価
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批准号:03750224
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:藤原 康文
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依托单位: