赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明

阐明发射红光的稀土掺杂氮化物半导体的能量传输机制

基本信息

  • 批准号:
    24246056
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 13.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

藤原 康文其他文献

Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device
用于 AlN 深紫外波导 SHG 器件的输入聚焦光栅耦合器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
  • 通讯作者:
    Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
時間分解二光子光電子分光法を利用したInGaN/GaN量子井戸の励起電子緩和寿命の評価
使用时间分辨双光子光电子能谱评估 InGaN/GaN 量子阱的激发电子弛豫寿命
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;藤原 康文;保田 英洋
  • 通讯作者:
    保田 英洋
Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作
通过掺铕 GaN 和 InGaN 量子阱混合堆叠并在室温下操作在同一蓝宝石衬底上制造全色 LED
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;塩見 圭史;森川 隆哉;佐々木 豊;D. Timmerma;舘林 潤;藤原 康文
  • 通讯作者:
    藤原 康文
Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~
Eu掺杂GaN红色LED的进展以及使用双光子光电子能谱直接评估表面复合过程的提案〜迈向微型LED器件应用〜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;藤原 康文;小島 一信
  • 通讯作者:
    小島 一信
Optimization of annealing temperature to reduce contact resistance on p GaN toward fabrication of InGaN single mode laser
优化退火温度以降低 p GaN 上的接触电阻,以制造 InGaN 单模激光器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama;T. Komatsu,R. Noro,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama;D. Tazuke,A. Higuchi,T. Hikosaka,T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T .Tanikawa and R. Katayama;A. Higuchi,D. Tazuke,T. Hikosaka, T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
  • 通讯作者:
    A. Higuchi,D. Tazuke,T. Hikosaka, T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama

藤原 康文的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('藤原 康文', 18)}}的其他基金

New development of Semiconductors Intracenter Photonics
半导体中心光子学新进展
  • 批准号:
    23H05449
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Development of ultimate rare-earth luminescence properties by reconfiguration of luminescence centers in rare-earth-doped semiconductors
通过稀土掺杂半导体中发光中心的重构来开发最终的稀土发光特性
  • 批准号:
    23H00185
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of semiconductor intra-center photonics
半导体中心内光子学的发展
  • 批准号:
    18H05212
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
Photon-field control of luminescent function of rare-earth ions in semiconductors
半导体中稀土离子发光功能的光子场控制
  • 批准号:
    17H01264
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
希土類添加半導体を基盤とした光ナノ共振器の作製と発光特性の評価
基于稀土掺杂半导体的光学纳米腔的制备及发光性能评价
  • 批准号:
    19656082
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
  • 批准号:
    19018014
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類添加半導体の励起・緩和機構の解明と波長超安定発光デバイス高性能化への応用
阐明稀土掺杂半导体的激发/弛豫机制及其在高性能超稳定发光器件中的应用
  • 批准号:
    18360150
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Siベース発光デバイス用材料:β-FeSi2単結晶の作製とホモエピタキシャル成長
硅基发光器件材料:β-FeSi2单晶的制备与同质外延生长
  • 批准号:
    17656108
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現
稀土掺杂半导体的有序控制及高阶发光函数的表达
  • 批准号:
    17042016
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
稀土元素掺杂半导体的新进展:通过有序控制表达新的自旋物理性质
  • 批准号:
    16031211
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
  • 批准号:
    23K23214
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
  • 批准号:
    24K08259
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長
多组分化合物异质界面的晶体生长以实现新型量子系统
  • 批准号:
    24K08275
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
結晶成長におけるトポロジカル相に誘起されるパターン形成の研究
晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
  • 批准号:
    24KJ0539
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
溶融金属中における合金結晶成長の原子スケール界面科学
熔融金属中合金晶体生长的原子尺度界面科学
  • 批准号:
    23K26543
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
  • 批准号:
    24K01366
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
使用外延过渡金属碳化物进行过渡金属二硫属化物的晶体生长
  • 批准号:
    24K01347
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase I: Universal Crystal Growth Capsule and Novel Wafer Dicing Tool for In-Space Manufacturing
SBIR 第一阶段:用于太空制造的通用晶体生长舱和新型晶圆切割工具
  • 批准号:
    2419346
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Standard Grant
超高温下での氷結晶最外表面層の構造変化と結晶成長カイネティクスの相関の解明
阐明超高温下冰晶最外层结构变化与晶体生长动力学之间的相关性
  • 批准号:
    23K26555
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
CAREER: Transport Phenomena and the Uptake of Foreign Species during Crystal Growth
职业:晶体生长过程中的传输现象和外来物质的吸收
  • 批准号:
    2339644
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.98万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

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知道了