Creation of spin-coupling technology suitable for Si quantum bit integration

创建适合硅量子位集成的自旋耦合技术

• 批准号: 17H01276
• 负责人: Yasuda Tetsuji
• 金额: $ 28.37万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01276/
• 关键词: 量子ビット; スピンカプラー; トンネルFET; シリコン; 等電子トラップ; 量子コンピューター; スピンカプラ-; 量子コンピュータ

项目成果

Effect of post-implantation annealing on Al?N isoelectronic trap formation in silicon: Al?N pair formation and defect recovery mechanisms

注入后退火对硅中 Al?N 等电子陷阱形成的影响：Al?N 对形成和缺陷恢复机制

• DOI: 10.1063/1.5030795
• 发表时间: 2018
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: Mori Takahiro;Morita Yukinori;Matsukawa Takashi
• 通讯作者: Matsukawa Takashi

Spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors

基于硅隧道场效应晶体管的自旋量子位

• 发表时间: 2019
• 作者: Tsubasa Nakashima;Kazuki Watatani;Kyohei Terao;Fusao Shimokawa;Hidekuni Takao;田川義之;羽根一博（分担執筆）;H. Tabata;Satoshi Moriyama
• 通讯作者: Satoshi Moriyama

シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用

硅隧道晶体管的自旋量子位应用

• 发表时间: 2018
• 作者: 森貴洋;森山悟士;松川貴;安田哲二;大野圭司
• 通讯作者: 大野圭司

Development of Simulation System for Semiconductor Qubit Design based on Technology Computer Aided Design

基于计算机辅助设计技术的半导体量子位设计仿真系统开发

• 发表时间: 2019
• 作者: Hidehiro Asai;Shota Iizuka;Junichi Hattori;Koichi Fukuda;and Takahiro Mori
• 通讯作者: and Takahiro Mori

集積化に適したシリコン量子ビット素子の開発

适合集成的硅量子比特器件的开发

• 发表时间: 2019
• 作者: T. Kobayashi;D. Kawate;A. Niwa;T. Nagase;K. Goushi;C. Adachi;H. Naito;藤原康文;森貴洋
• 通讯作者: 森貴洋