Creation of spin-coupling technology suitable for Si quantum bit integration
Creation of spin-coupling technology suitable for Si quantum bit integration
创建适合硅量子位集成的自旋耦合技术
批准号：
17H01276
负责人：
Yasuda Tetsuji
金额：
$28.37万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Effect of post-implantation annealing on Al?N isoelectronic trap formation in silicon: Al?N pair formation and defect recovery mechanisms
注入后退火对硅中 Al?N 等电子陷阱形成的影响：Al?N 对形成和缺陷恢复机制
注入后退火对硅中 Al?N 等电子陷阱形成的影响：Al?N 对形成和缺陷恢复机制
DOI：
10.1063/1.5030795
发表时间：
2018
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Mori Takahiro, Morita Yukinori, Matsukawa Takashi]
通讯作者：
Matsukawa Takashi
Spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
基于硅隧道场效应晶体管的自旋量子位
基于硅隧道场效应晶体管的自旋量子位
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tsubasa Nakashima, Kazuki Watatani, Kyohei Terao, Fusao Shimokawa, Hidekuni Takao, 田川義之, 羽根一博（分担執筆）, H. Tabata, Satoshi Moriyama]
通讯作者：
Satoshi Moriyama
シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用
硅隧道晶体管的自旋量子位应用
硅隧道晶体管的自旋量子位应用
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森貴洋, 森山悟士, 松川貴, 安田哲二, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
Development of Simulation System for Semiconductor Qubit Design based on Technology Computer Aided Design
基于计算机辅助设计技术的半导体量子位设计仿真系统开发
基于计算机辅助设计技术的半导体量子位设计仿真系统开发
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hidehiro Asai, Shota Iizuka, Junichi Hattori, Koichi Fukuda, and Takahiro Mori]
通讯作者：
and Takahiro Mori
集積化に適したシリコン量子ビット素子の開発
适合集成的硅量子比特器件的开发
适合集成的硅量子比特器件的开发
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kobayashi, D. Kawate, A. Niwa, T. Nagase, K. Goushi, C. Adachi, H. Naito, 藤原康文, 森貴洋]
通讯作者：
森貴洋
共 23 条