Clarification of interface formation and electronic properties of power semiconductors through quantum theoretical computics
Clarification of interface formation and electronic properties of power semiconductors through quantum theoretical computics
通过量子理论计算阐明功率半导体的界面形成和电子特性
批准号：
18H03873
负责人：
Oshiyama Atsushi
金额：
$26.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states
氮化硅中氮空位的原子和电子结构：浮隙态的出现
氮化硅中氮空位的原子和电子结构：浮隙态的出现
DOI：
10.1103/physrevb.106.155201
发表时间：
2022
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[Nanataki Fugo, Shiraishi Kenji, Iwata Jun-ichi, Matsushita Yu-ichiro, Oshiyama Atsushi]
通讯作者：
Oshiyama Atsushi
University of Strasbourg(フランス)
斯特拉斯堡大学（法国）
斯特拉斯堡大学（法国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Insight into the step flow growth of gallium nitride based on density functional theory
基于密度泛函理论洞察氮化镓阶梯流生长
基于密度泛函理论洞察氮化镓阶梯流生长
DOI：
10.1016/j.apsusc.2022.155840
发表时间：
2023
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[My Bui Kieu, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi]
通讯作者：
Oshiyama Atsushi
Absence of oxygen-vacancy-related deep levels in amorphous (Al2O3)_{1-x}(SiO2)_x: First-principles exploration of gate oxides in GaN-based devices
非晶 (Al2O3)_{1-x}(SiO2)_x 中不存在与氧空位相关的深能级：GaN 基器件中栅极氧化物的第一原理探索
非晶 (Al2O3)_{1-x}(SiO2)_x 中不存在与氧空位相关的深能级：GaN 基器件中栅极氧化物的第一原理探索
DOI：
10.1103/physrevapplied.14.014034
发表时间：
2020
期刊：
Physical Review Applied
影响因子：
4.6
作者：
[K. Chokawa, T. Narita, D. Kikuta, T. Kachi, K. Shiozaki, A. Oshiyama and K. Shiraishi]
通讯作者：
A. Oshiyama and K. Shiraishi
Chickens or Eggs in the Atomic World: Structures and Electronic Properties of Defects in Semiconductors
原子世界中的先有鸡还是先有蛋：半导体缺陷的结构和电子特性
原子世界中的先有鸡还是先有蛋：半导体缺陷的结构和电子特性
DOI：
10.7566/jpsjnc.19.12
发表时间：
2022
期刊：
JPSJ News and Comments
影响因子：
--
作者：
[Oshiyama Atsushi]
通讯作者：
Oshiyama Atsushi
共 40 条
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