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融合型電子材料ナノワイヤのマクロスケール機能開拓
熔融电子材料纳米线的宏观功能探索
基本信息
- 批准号：23H00250
- 负责人：
- 金额：$ 30.2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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石川 史太郎其他文献
真空ろ過法で形成した配向CNT薄膜を用いた CNT-Si太陽電池の特性評価
采用真空过滤法形成的定向CNT薄膜的CNT-Si太阳能电池的特性评估
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
梅田 皆友，今林 弘殻;塩島 謙次;梅西 達哉;富永 依里子;行宗 詳規;石川 史太郎;上田 修;志賀 星耶;佐々木 嵩弥;篁 耕司;中村 基訓 - 通讯作者：
志賀 星耶;佐々木 嵩弥;篁 耕司;中村 基訓
GaAs/GaAsBi歪コアーシェルナノワイヤ側壁での垂直格子定数合致型コヒーレント成長
GaAs/GaAsBi 应变核壳纳米线侧壁上垂直晶格常数匹配的相干生长
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
矢野 康介;高田 恭兵;Pallavi Patil;石川 史太郎;下村 哲;長島 一樹;柳田 剛 - 通讯作者：
柳田 剛
液相逐次成長法による無機粒子表面への配位高分子薄層の形成と２次電池電極材料への応用
液相顺序生长法在无机颗粒表面形成配位聚合物薄层及其在二次电池电极材料中的应用
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
矢野 康介;高田 恭兵;Pallavi Patil;石川 史太郎;下村 哲;長島 一樹;柳田 剛;牧浦 理恵 - 通讯作者：
牧浦 理恵
自然酸化AlGaOx最外殻とGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いたGaAsナノワイヤパッシベーション構造の作製
利用自然氧化的AlGaOx最外层和GaAs/AlGaAs异质结构制备GaAs纳米线钝化结构
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
津田 眞;石川 史太郎 - 通讯作者：
石川 史太郎
ダイヤモンド中に量子コンピュータを作る取り組み
努力用钻石制造量子计算机
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
東浦 健人;鳥生 大樹;福田 玲;石川 史太郎;新名 亨;大藤 弘明;入舩 徹男;小野田忍 - 通讯作者：
小野田忍
石川 史太郎的其他文献
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{{ truncateString('石川 史太郎', 18)}}的其他基金
Exploring novel dilute nitride and bismide quantum light source innovating optical communications
探索创新光通信的新型稀氮化物和双酰胺量子光源
- 批准号：
21KK0068 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))
相似海外基金
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
- 批准号：
23K21082 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
水と空気から過酸化水素を合成する機能集積型樹脂半導体光触媒
由水和空气合成过氧化氢的功能集成树脂半导体光催化剂
- 批准号：
23K23135 - 财政年份：2024
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全無機Bサイト置換金属ハライドペロブスカイト型半導体の単結晶ヘテロ構造
全无机B位取代金属卤化物钙钛矿半导体的单晶异质结构
- 批准号：
23K23237 - 财政年份：2024
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体光ツイストロニクスの開拓
半导体光双电子学的发展
- 批准号：
23K23262 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
分子回帰反応の創出による2次元半導体の自己電子機能化
通过分子回归反应实现二维半导体的自电子功能化
- 批准号：
23K26491 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
時間分解光電子分光によるp-type有機半導体薄膜の正孔ダイナミクス観測
使用时间分辨光电子能谱观察 p 型有机半导体薄膜中的空穴动力学
- 批准号：
23K26632 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パルス中性子イメージングの高解像度化を実現する半導体検出器の開発
开发实现高分辨率脉冲中子成像的半导体探测器
- 批准号：
23K25127 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
サイト選択元素置換によるシリサイド半導体の光学機能創出
通过位点选择性元素替代在硅化物半导体中创建光学功能
- 批准号：
23K26144 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御
通过控制电极堆叠结构控制二维半导体中的肖特基势垒
- 批准号：
24KJ0622 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ポテンシャルを精密に制御した半導体量子井戸構造中の熱電子冷却に関する研究
电势精确控制的半导体量子阱结构热电子冷却研究
- 批准号：
24KJ0678 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows