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全無機Bサイト置換金属ハライドペロブスカイト型半導体の単結晶ヘテロ構造

全無機Bサイト置換金属ハライドペロブスカイト型半導体の単結晶ヘテロ構造
全无机B位取代金属卤化物钙钛矿半导体的单晶异质结构
批准号：
23K23237
负责人：
近藤 高志
金额：
$3.74万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K23237/
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Single-crystalline heterostructures fabricated using all-inorganic B-site substituted metal halide perovskite-type semiconductors
  • 批准号：
    22H01969
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.23万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    近藤 高志
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
シリコン細線導波路における2次非線形光学効果の研究
  • 批准号：
    21656016
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.05万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    近藤 高志
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
窒化物半導体の非線形光学定数の精密評価と内部電界による制御
  • 批准号：
    19032003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $5.12万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    近藤 高志
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
化合物半導体疑似位相整合デバイスを用いた波長変換の研究
  • 批准号：
    14041203
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $4.48万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    近藤 高志
  • 依托单位：
    The University of Tokyo