Valence-band engineering and interface-dipole control for realizing III-V pMOSFET

用于实现 III-V pMOSFET 的价带工程和界面偶极子控制

• 批准号: 24246058
• 负责人: YASUDA Tetsuji
• 金额: $ 29.2万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24246058/
• 关键词: 電子・電気材料; Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体; 表面・界面物性; MOSFET; エピタキシャル成長; Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体; 半導体物性; マイクロ・ナノデバイス; エピタキシャル

项目成果

Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討

Al2O3/GaSb MOS界面结构绝缘膜沉积预处理的思考

• 发表时间: 2014
• 作者: 後藤高寛;藤川紗千恵;藤代博記;小倉睦郎;安田哲二;前田辰郎
• 通讯作者: 前田辰郎

GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証

GaSb 肖特基结金属 S/D pMOSFET 的操作演示

• 发表时间: 2013
• 作者: 後藤高寛;藤川紗千恵;藤代博記;小倉睦郎;安田哲二;前田辰郎
• 通讯作者: 前田辰郎

Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製

Si(111) 上 GaSb 异质外延及 HfO2/GaSb MOS 电容器的制造

• 发表时间: 2014
• 作者: 大竹晃浩;間野高明;宮田 典幸;森 貴洋;安田 哲二
• 通讯作者: 安田 哲二

III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析

DG MOSFET 延迟时间产生机制的 III-V 分析

• 发表时间: 2014
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告
• 作者: 矢島悠貴;大濱諒子;藤川紗千恵;藤代博記
• 通讯作者: 藤代博記

GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製

GaAs 衬底上 GaSb MOS 结构的制作

• 发表时间: 2013
• 作者: Gaku Yokoyama;Shinya Honda;Yoshihiro Narita;N. Koshida;後田 敦史，山田 裕明，小前 智也，吉村 武，藤村 紀文;H. Takami;後藤高寛
• 通讯作者: 後藤高寛