Valence-band engineering and interface-dipole control for realizing III-V pMOSFET
Valence-band engineering and interface-dipole control for realizing III-V pMOSFET
用于实现 III-V pMOSFET 的价带工程和界面偶极子控制
批准号：
24246058
负责人：
YASUDA Tetsuji
金额：
$29.2万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討
Al2O3/GaSb MOS界面结构绝缘膜沉积预处理的思考
Al2O3/GaSb MOS界面结构绝缘膜沉积预处理的思考
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎]
通讯作者：
前田辰郎
GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証
GaSb 肖特基结金属 S/D pMOSFET 的操作演示
GaSb 肖特基结金属 S/D pMOSFET 的操作演示
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎]
通讯作者：
前田辰郎
Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
Si(111) 上 GaSb 异质外延及 HfO2/GaSb MOS 电容器的制造
Si(111) 上 GaSb 异质外延及 HfO2/GaSb MOS 电容器的制造
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大竹晃浩, 間野高明, 宮田 典幸, 森 貴洋, 安田 哲二]
通讯作者：
安田 哲二
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
DG MOSFET 延迟时间产生机制的 III-V 分析
DG MOSFET 延迟时间产生机制的 III-V 分析
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告
影响因子：
--
作者：
[矢島悠貴, 大濱諒子, 藤川紗千恵, 藤代博記]
通讯作者：
藤代博記
GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製
GaAs 衬底上 GaSb MOS 结构的制作
GaAs 衬底上 GaSb MOS 结构的制作
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Gaku Yokoyama, Shinya Honda, Yoshihiro Narita, N. Koshida, 後田 敦史，山田 裕明，小前 智也，吉村 武，藤村 紀文, H. Takami, 後藤高寛]
通讯作者：
後藤高寛
共 23 条
Development of reflectance difference spectroscopy (RDS) in the vacuum ultraviolet range and its application to characterization of ordering states at the dielectrics interfaces formed on the new channel materials
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批准号：19360025
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.06万
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财政年份：2007
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负责人：YASUDA Tetsuji
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依托单位：