Development of reflectance difference spectroscopy (RDS) in the vacuum ultraviolet range and its application to characterization of ordering states at the dielectrics interfaces formed on the new channel materials
Development of reflectance difference spectroscopy (RDS) in the vacuum ultraviolet range and its application to characterization of ordering states at the dielectrics interfaces formed on the new channel materials
批准号:
19360025
负责人:
YASUDA Tetsuji
金额:
$12.06万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
表面・界面に敏感な光学測定として知られる反射率差分光(RDS)の測定エネルギー域を、従来の可視・紫外域(1~5 eV)から、真空紫外領域(~8.5 eV)へ拡張した装置を開発した。この装置を用いて、電界効果トランジスタの新チャネル材料上のゲート絶縁膜界面の構造を評価した。その結果、Siナノワイヤチャネル側面のモデルである高指数面上の熱酸化膜において、熱負荷とともに界面構造が変化する現象を見出した。また、高移動度チャネルとして有望なGeやIII-V族半導体への絶縁膜形成において、界面光学応答が変化する様子を観測した。
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S真空紫外RDSによるSi高指数面上の酸化膜界面構造の評価
S真空紫外RDS评价Si高折射率表面氧化膜界面结构
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二, Saeidifar SOMAYEH, 尾形祥一]
通讯作者:
尾形祥一
Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価
Si高折射率表面氧化膜界面结构的真空紫外RDS评价
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二]
通讯作者:
安田哲二
真空紫外RDSによるSi高指数面上の酸化膜界面構造の評価
真空紫外RDS评价Si高折射率表面氧化膜界面结构
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二]
通讯作者:
安田哲二
平成19年度は装置の開発に時間費やしたため、今回報告できる論文・学会発表はありません。上記9.に述べた成果ついて、現在、論文投稿と学会発表を準備中です。また、時研究は当初はポスドク研究者を雇用して進めることを想定していましたが、適切な候補者が見つからなかったことに加え、装置開発においてグローブボックスを気密性の高イステンレス製にする必要があったために予定していたより多くの物品費が必要となり、ポスドク雇用なしで研究を進めました。
由于我们在 2007 年花费了时间来开发该设备,因此目前没有可报告的论文或会议演示文稿。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Valence-band engineering and interface-dipole control for realizing III-V pMOSFET
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批准号:24246058
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$29.2万
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财政年份:2012
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负责人:YASUDA Tetsuji
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依托单位:
国内基金
海外基金
基于石墨烯异质结构的二维过渡金属硫化物器件界面物性调控研究
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批准号:61704189
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:23.0万元
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批准年份:2017
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负责人:彭松昂
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依托单位:
氧八面体旋转和应力耦合机制及其对界面物性调控的研究
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批准号:11574287
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2015
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负责人:翟晓芳
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依托单位: