Elucidation of dynamic characters of dislocations and their electronic and optical properties in wide bandgap semiconductors

宽带隙半导体中位错的动态特性及其电子和光学特性的阐明

• 批准号: 24246103
• 负责人: YONENAGA Ichiro
• 金额: $ 30.62万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24246103/
• 关键词: 半導体物性; 転位ナノ物性; ワイドギャップ半導体; 転位動特性; 転位電子光学物性; 転位電子光学特性

项目成果

Vacancy-type defects introduced by plastic deformation of GaN studied using monoenergetic positron beams

使用单能正电子束研究 GaN 塑性变形引入的空位型缺陷

• DOI: 10.1063/1.4819798
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Appl. Phys.
• 作者: A. Uedono;I. Yonenaga;T. Watanabe;S. Kimura;N. Ohsaima;R. Suzuki;S. Ishibashi and Y. Ohno
• 通讯作者: S. Ishibashi and Y. Ohno

Formation and Evolution of Misoriented Grains in <i>a</i>-Plane Oriented Gallium Nitride Layers

<i>a</i>平面取向氮化镓层中错误取向晶粒的形成与演化

• DOI: 10.2320/matertrans.ma201221
• 发表时间: 2012
• 期刊: MATERIALS TRANSACTIONS
• 影响因子: 1.2
• 作者: Y. Tokumoto;H-J. Lee;Y. Ohno;T. Yao and I. Yonenaga
• 通讯作者: T. Yao and I. Yonenaga

Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation

原位透射电子显微镜纳米压痕诱导AlN薄膜中的位错结构

• DOI: 10.1063/1.4764928
• 发表时间: 2012
• 期刊: J. Appl. Phys.
• 作者: Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno and I. Yonenaga
• 通讯作者: Y. Ohno and I. Yonenaga

Dislocation dynamics in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation

原位 TEM 纳米压痕引起的 AlN 薄膜中的位错动力学

• 发表时间: 2013
• 作者: Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno;I. Yonenaga
• 通讯作者: I. Yonenaga

Intrinsic properties of dislocations freshly induced by plastic deformation in GaN

GaN 中塑性变形新引起的位错的本征特性

• 发表时间: 2013
• 作者: I. Yonenaga;T. Yao;K. Edagawa
• 通讯作者: K. Edagawa