Basic studies for magnetic functional silicon devices utilizing highly dislocated structures
利用高位错结构的磁性功能硅器件的基础研究
基本信息
- 批准号:23656380
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Development of nano-clusters with ferromagnetic impurities along a dislocation in silicon was attempted in order to explore a new magnetic device according to the established knowledge of defect-impurity interaction in semiconductors. MnSi1.75 layers with a thickness of about 1 micron were formed in the surface region of heavily-dislocated Si.
根据已有的半导体中缺陷-杂质相互作用的已有知识,尝试开发沿硅中位错具有铁磁性杂质的纳米团簇,以探索一种新的磁性器件。在严重位错的Si表面形成了厚度约为1微米的MnSi1.75层。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Dislocation activities in Si under high-magnetic-field
高磁场下硅的位错活动
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I. Yonenaga;Y. Ohno;Y. Tokumoto and K. Kutsukake
- 通讯作者:Y. Tokumoto and K. Kutsukake
シリコン中におけるΣ 9{114}粒界と不純物の相互作用
硅中Σ 9{114}晶界与杂质的相互作用
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大野裕;井上海平;沓掛健太朗;米永一郎;海老澤直樹;高見澤悠;清水康雄;井上耕治;永井康介
- 通讯作者:永井康介
Growth of heavily indium doped Si
重掺杂硅的生长
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Inoue;Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno and I. Yonenaga
- 通讯作者:Y. Ohno and I. Yonenaga
Cu precipitation in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant
p型掺杂重掺杂CZ-Si晶体中Cu的沉淀
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Ohno;K. Inoue;K. Kutsukake;Y. Tokumoto;I. Yonenaga;H. Yoshida;S. Takeda;R. Taniguchi and S. R. Nishitani
- 通讯作者:R. Taniguchi and S. R. Nishitani
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals
重锡掺杂硅晶体的直拉法生长
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I. Yonenaga;T. Taishi;K. Inoue;R. Gotoh;K. Kutsukake;Y. Tokumoto and Y. Ohno
- 通讯作者:Y. Tokumoto and Y. Ohno
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
YONENAGA Ichiro其他文献
YONENAGA Ichiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('YONENAGA Ichiro', 18)}}的其他基金
Elucidation of dynamic characters of dislocations and their electronic and optical properties in wide bandgap semiconductors
宽带隙半导体中位错的动态特性及其电子和光学特性的阐明
- 批准号:
24246103 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Growth and Fundamental Properties of GeSi Bulk Crystals
GeSi块状晶体的生长和基本性质
- 批准号:
13450001 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)