Basic studies for magnetic functional silicon devices utilizing highly dislocated structures

利用高位错结构的磁性功能硅器件的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    23656380
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Development of nano-clusters with ferromagnetic impurities along a dislocation in silicon was attempted in order to explore a new magnetic device according to the established knowledge of defect-impurity interaction in semiconductors. MnSi1.75 layers with a thickness of about 1 micron were formed in the surface region of heavily-dislocated Si.
根据已有的半导体中缺陷-杂质相互作用的已有知识,尝试开发沿硅中位错具有铁磁性杂质的纳米团簇,以探索一种新的磁性器件。在严重位错的Si表面形成了厚度约为1微米的MnSi1.75层。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Dislocation activities in Si under high-magnetic-field
高磁场下硅的位错活动
シリコン中におけるΣ 9{114}粒界と不純物の相互作用
硅中Σ 9{114}晶界与杂质的相互作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大野裕;井上海平;沓掛健太朗;米永一郎;海老澤直樹;高見澤悠;清水康雄;井上耕治;永井康介
  • 通讯作者:
    永井康介
Growth of heavily indium doped Si
重掺杂硅的生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Inoue;Y. Tokumoto;K. Kutsukake;Y. Ohno and I. Yonenaga
  • 通讯作者:
    Y. Ohno and I. Yonenaga
Cu precipitation in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant
p型掺杂重掺杂CZ-Si晶体中Cu的沉淀
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohno;K. Inoue;K. Kutsukake;Y. Tokumoto;I. Yonenaga;H. Yoshida;S. Takeda;R. Taniguchi and S. R. Nishitani
  • 通讯作者:
    R. Taniguchi and S. R. Nishitani
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals
重锡掺杂硅晶体的直拉法生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    I. Yonenaga;T. Taishi;K. Inoue;R. Gotoh;K. Kutsukake;Y. Tokumoto and Y. Ohno
  • 通讯作者:
    Y. Tokumoto and Y. Ohno
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

YONENAGA Ichiro其他文献

YONENAGA Ichiro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('YONENAGA Ichiro', 18)}}的其他基金

Elucidation of dynamic characters of dislocations and their electronic and optical properties in wide bandgap semiconductors
宽带隙半导体中位错的动态特性及其电子和光学特性的阐明
  • 批准号:
    24246103
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Growth and Fundamental Properties of GeSi Bulk Crystals
GeSi块状晶体的生长和基本性质
  • 批准号:
    13450001
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了