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Basic studies for magnetic functional silicon devices utilizing highly dislocated structures

Basic studies for magnetic functional silicon devices utilizing highly dislocated structures
利用高位错结构的磁性功能硅器件的基础研究
批准号：
23656380
负责人：
YONENAGA Ichiro
金额：
$2.5万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656380/
关键词：
半導体物性転位ナノ物性物性制御金属不純物半導体磁気特性転位

项目摘要

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中文摘要
翻译
根据已有的半导体中缺陷-杂质相互作用的已有知识，尝试开发沿硅中位错具有铁磁性杂质的纳米团簇，以探索一种新的磁性器件。在严重位错的Si表面形成了厚度约为1微米的MnSi1.75层。
英文摘要
Development of nano-clusters with ferromagnetic impurities along a dislocation in silicon was attempted in order to explore a new magnetic device according to the established knowledge of defect-impurity interaction in semiconductors. MnSi1.75 layers with a thickness of about 1 micron were formed in the surface region of heavily-dislocated Si.
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会议论文
シリコン中におけるΣ 9{114}粒界と不純物の相互作用
硅中Σ 9{114}晶界与杂质的相互作用
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [大野裕, 井上海平, 沓掛健太朗, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介]
通讯作者： 永井康介
Dislocation activities in Si under high-magnetic-field
高磁场下硅的位错活动
DOI： --
发表时间： 2013
期刊： Proceedings of 4th International Conference on Fundamental Properties of Dislocations
影响因子： --
作者： [I. Yonenaga, Y. Ohno, Y. Tokumoto and K. Kutsukake]
通讯作者： Y. Tokumoto and K. Kutsukake
Growth of heavily indium doped Si
重掺杂硅的生长
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno and I. Yonenaga]
通讯作者： Y. Ohno and I. Yonenaga
Cu precipitation in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant
p型掺杂重掺杂CZ-Si晶体中Cu的沉淀
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi and S. R. Nishitani]
通讯作者： R. Taniguchi and S. R. Nishitani
共 24 条
    Elucidation of dynamic characters of dislocations and their electronic and optical properties in wide bandgap semiconductors
    • 批准号：
      24246103
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $30.62万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      YONENAGA Ichiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Growth and Fundamental Properties of GeSi Bulk Crystals
    • 批准号：
      13450001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.54万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      YONENAGA Ichiro
    • 依托单位：
      Tohoku University