Development of highly efficient formation process of thin film devices based on atmospheric-pressure plasma science
Development of highly efficient formation process of thin film devices based on atmospheric-pressure plasma science
基于大气压等离子体科学的薄膜器件高效形成工艺的开发
批准号：
26249010
负责人：
Kakiuchi Hiroaki
金额：
$21.13万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2019-03-31
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大気圧プラズマCVDによるプラスチックフィルム上へのSi成膜とその特性評価
常压等离子体CVD在塑料薄膜上形成Si膜及其特性评价
常压等离子体CVD在塑料薄膜上形成Si膜及其特性评价
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[潘 孟瀛, 計 賢, 林 晃敏, 辰巳砂昌弘, S. Kera, 縄田慈人，前川健史，垣内弘章，大参宏昌，安武潔]
通讯作者：
縄田慈人，前川健史，垣内弘章，大参宏昌，安武潔
Structural and electrical characterization of silicon and silicon oxide films prepared in atmospheric-pressure very high-frequency plasma at low temperatures
低温常压甚高频等离子体制备的硅和氧化硅薄膜的结构和电学表征
低温常压甚高频等离子体制备的硅和氧化硅薄膜的结构和电学表征
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake]
通讯作者：
and K. Yasutake
大気圧プラズマCVDにより形成したSiOx薄膜の構造・電気特性の基板温度依存性
常压等离子体CVD形成的SiOx薄膜的结构和电性能与衬底温度的关系
常压等离子体CVD形成的SiOx薄膜的结构和电性能与衬底温度的关系
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kinoshita, H., Kinoshita, M. & Sato, Y., 鎌田航平，木元雄一朗，田牧祥吾，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔]
通讯作者：
鎌田航平，木元雄一朗，田牧祥吾，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
Low Temperature Deposition of Silicon Films Using Very High-Frequency Plasma under Atmospheric Pressure
大气压下使用甚高频等离子体低温沉积硅膜
大气压下使用甚高频等离子体低温沉积硅膜
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake]
通讯作者：
and K. Yasutake
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Encyclopedia of Plasma Technology
影响因子：
--
作者：
[H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake]
通讯作者：
and K. Yasutake
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