Development of highly efficient formation process of thin film devices based on atmospheric-pressure plasma science

基于大气压等离子体科学的薄膜器件高效形成工艺的开发

• 批准号: 26249010
• 负责人: Kakiuchi Hiroaki
• 金额: $ 21.13万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26249010/
• 关键词: 特殊加工; 薄膜作製技術; 大気圧プラズマ; 薄膜デバイス

项目成果

大気圧プラズマCVDによるプラスチックフィルム上へのSi成膜とその特性評価

常压等离子体CVD在塑料薄膜上形成Si膜及其特性评价

• 发表时间: 2019
• 作者: 潘 孟瀛;計 賢;林 晃敏;辰巳砂昌弘;S. Kera;縄田慈人，前川健史，垣内弘章，大参宏昌，安武潔
• 通讯作者: 縄田慈人，前川健史，垣内弘章，大参宏昌，安武潔

大気圧プラズマCVDにより形成したSiOx薄膜の構造・電気特性の基板温度依存性

常压等离子体CVD形成的SiOx薄膜的结构和电性能与衬底温度的关系

• 发表时间: 2016
• 作者: Kinoshita;H.;Kinoshita;M. & Sato;Y.;鎌田航平，木元雄一朗，田牧祥吾，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
• 通讯作者: 鎌田航平，木元雄一朗，田牧祥吾，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔

Low Temperature Deposition of Silicon Films Using Very High-Frequency Plasma under Atmospheric Pressure

大气压下使用甚高频等离子体低温沉积硅膜

• 发表时间: 2014
• 作者: S. Tamaki;T. Sakaguchi;W. Lin;T. Yamada;H. Ohmi;H. Kakiuchi;and K. Yasutake
• 通讯作者: and K. Yasutake

Structural and electrical characterization of silicon and silicon oxide films prepared in atmospheric-pressure very high-frequency plasma at low temperatures

低温常压甚高频等离子体制备的硅和氧化硅薄膜的结构和电学表征

• 发表时间: 2017
• 作者: H. Kakiuchi;H. Ohmi;and K. Yasutake
• 通讯作者: and K. Yasutake

Atmospheric Pressure Plasmas: Low-Temperature Processes

大气压等离子体：低温过程

• 发表时间: 2016
• 期刊: Encyclopedia of Plasma Technology
• 作者: H. Kakiuchi;H. Ohmi;and K. Yasutake
• 通讯作者: and K. Yasutake