Nonvolatile power-gating technology based on CMOS/spintronics-hybrid CMOS circuits
Nonvolatile power-gating technology based on CMOS/spintronics-hybrid CMOS circuits
基于 CMOS/自旋电子学混合 CMOS 电路的非易失性功率门控技术
批准号：
26249049
负责人：
Sugahara Satoshi
金额：
$25.88万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2019-03-31
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デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性SRAMの設計と解析
使用双模反相器的伪非易失性SRAM的设计与分析
使用双模反相器的伪非易失性SRAM的设计与分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xiangying Deng, Shunri Oda, Yukio Kawano, 吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡]
通讯作者：
吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡
Design and Implementation of Nonvolatile Power-Gating SRAM Using SOTB Technology
采用SOTB技术的非易失性电源门控SRAM的设计与实现
采用SOTB技术的非易失性电源门控SRAM的设计与实现
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara]
通讯作者：
and S. Sugahara
磁気抵抗素子および記憶回路
磁阻元件及存储电路
磁阻元件及存储电路
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM
STT-MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流降低及其在低压 MRAM 中的应用
STT-MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流降低及其在低压 MRAM 中的应用
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
Solid-State Electronics
影响因子：
1.7
作者：
[Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara]
通讯作者：
S. Sugahara
擬似不揮発性FFの速度性能優先設計とその回路性能
伪非易失性FF的速度性能优先设计及其电路性能
伪非易失性FF的速度性能优先设计及其电路性能
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Oki, K. Nabekura, M. Iwakuma, 北形大樹，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡]
通讯作者：
北形大樹，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡
共 38 条
Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.
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批准号：26630153
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2014
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负责人：Sugahara Satoshi
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依托单位：