Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.
用于自旋注入和自旋输运的硅通道汉勒效应自旋器件。
基本信息
- 批准号:26630153
- 负责人:
- 金额:$ 2.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
“Fabrication of a CoFe/TiO2/Si tunnel contact and its spin-injector application
“CoFe/TiO2/Si 隧道接触的制造及其自旋注入器应用
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yusuke Shuto;Katsunori Takahashi;Taiju Akushichi;and Satoshi Sugahara
- 通讯作者:and Satoshi Sugahara
Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing
使用 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/AlOx/Si 隧道接触以及通过自由基氧退火制备的高质量隧道势垒在 Si 通道中进行自旋积累
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Taiju Akushichi;Yota Takamura;Yusuke Shuto;and Satoshi Sugahara
- 通讯作者:and Satoshi Sugahara
Robust Design of Electric-field-assisted Nonlocal Si-MOS Spin-devices
电场辅助非局域 Si-MOS 自旋器件的鲁棒设计
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:D. Kitagata;T. Akushichi;Y. Takamura;Y. Shuto;and S. Sugahara
- 通讯作者:and S. Sugahara
Spin Accumulation in a Si Channel using High-Quality CoFe/MgO/Si Spin Injectors
使用高质量 CoFe/MgO/Si 自旋注入器在 Si 通道中进行自旋累积
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Akushichi;D. Kitagata;Y. Takamura;Y. Shuto;and S. Sugahara
- 通讯作者:and S. Sugahara
Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices
硅通道自旋累积器件中观测到的汉勒效应信号分析
- DOI:10.1063/1.4868502
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:6.Y. Takamura;T. Akushichi;A. Sadano;T. Okihio;Y. Shuto;and S. Sugahara
- 通讯作者:and S. Sugahara
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Sugahara Satoshi其他文献
監査上の主要な検討事項(KAM)の分析――早期適用企業のKAMの時系列比較――
关键审计考虑因素分析 (KAM) - 早期采用者的 KAM 随时间变化的比较 -
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳;佐久間義浩 - 通讯作者:
佐久間義浩
負債と資本の表示区分ルールのリアル・エフェクト:日本の上場企業による優先株式の発行事例分析
债务与股权显示分类规则的真实效果:日本上市公司优先股发行案例分析
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳 - 通讯作者:
菱山淳
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强制应用关键审计考虑因素 (KAM) 的影响
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳;佐久間義浩;徳賀芳弘;奥田真也・田中優希;木村晃久;加納慶太;YOSHIOKA Tsuyoshi;加納慶太;佐久間義浩 - 通讯作者:
佐久間義浩
Binarized Neural Network Accelerator Macro Using Ultralow-Voltage Retention SRAM for Energy Minimum-Point Operation
使用超低压保持 SRAM 进行能量最小点操作的二值化神经网络加速器宏
- DOI:
10.1109/jxcdc.2022.3225744 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.4
- 作者:
Shiotsu Yusaku;Sugahara Satoshi - 通讯作者:
Sugahara Satoshi
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Nonvolatile power-gating technology based on CMOS/spintronics-hybrid CMOS circuits
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26249049 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
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相似海外基金
次世代燃料電池ITFCの高性能空気極の開発:酸素へのスピン注入によるORRブースト
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- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
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- 批准号:
23KJ0480 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
22KJ2485 - 财政年份:2023
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$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
21K20502 - 财政年份:2021
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$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
トポロジカル半金属を用いた高性能純スピン注入源の開発
使用拓扑非金属开发高性能纯自旋注入源
- 批准号:
21J10066 - 财政年份:2021
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$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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自旋动力学与热自旋注入相结合的无线自旋电流产生及其应用
- 批准号:
16J05621 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
26889009 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
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- 批准号:
25420305 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号:
13J08663 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows