Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.

用于自旋注入和自旋输运的硅通道汉勒效应自旋器件。

基本信息

  • 批准号:
    26630153
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
“Fabrication of a CoFe/TiO2/Si tunnel contact and its spin-injector application
“CoFe/TiO2/Si 隧道接触的制造及其自旋注入器应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yusuke Shuto;Katsunori Takahashi;Taiju Akushichi;and Satoshi Sugahara
  • 通讯作者:
    and Satoshi Sugahara
Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing
使用 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/AlOx/Si 隧道接触以及通过自由基氧退火制备的高质量隧道势垒在 Si 通道中进行自旋积累
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Taiju Akushichi;Yota Takamura;Yusuke Shuto;and Satoshi Sugahara
  • 通讯作者:
    and Satoshi Sugahara
Robust Design of Electric-field-assisted Nonlocal Si-MOS Spin-devices
电场辅助非局域 Si-MOS 自旋器件的鲁棒设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    D. Kitagata;T. Akushichi;Y. Takamura;Y. Shuto;and S. Sugahara
  • 通讯作者:
    and S. Sugahara
Spin Accumulation in a Si Channel using High-Quality CoFe/MgO/Si Spin Injectors
使用高质量 CoFe/MgO/Si 自旋注入器在 Si 通道中进行自旋累积
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Akushichi;D. Kitagata;Y. Takamura;Y. Shuto;and S. Sugahara
  • 通讯作者:
    and S. Sugahara
Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices
硅通道自旋累积器件中观测到的汉勒效应信号分析
  • DOI:
    10.1063/1.4868502
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    6.Y. Takamura;T. Akushichi;A. Sadano;T. Okihio;Y. Shuto;and S. Sugahara
  • 通讯作者:
    and S. Sugahara
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監査上の主要な検討事項(KAM)の分析――早期適用企業のKAMの時系列比較――
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳;佐久間義浩
  • 通讯作者:
    佐久間義浩
負債と資本の表示区分ルールのリアル・エフェクト:日本の上場企業による優先株式の発行事例分析
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久
  • 通讯作者:
    木村晃久
リース会計基準と簿記処理ー勘定の背後にある思考と課題ー
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳
  • 通讯作者:
    菱山淳
監査上の主要な検討事項(KAM)の強制適用による影響
强制应用关键审计考虑因素 (KAM) 的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳;佐久間義浩;徳賀芳弘;奥田真也・田中優希;木村晃久;加納慶太;YOSHIOKA Tsuyoshi;加納慶太;佐久間義浩
  • 通讯作者:
    佐久間義浩
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    2014
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    $ 2.41万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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    $ 2.41万
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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.41万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    22KJ2485
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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.41万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    21K20502
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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  • 批准号:
    21J10066
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピンダイナミクスと熱スピン注入の融合によるワイヤレス・スピン流生成とその応用
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  • 批准号:
    16J05621
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物半導体へのスピン注入とスピン軌道相互作用の制御
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  • 批准号:
    26889009
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
電界アシストを利用したスピン注入磁気メモリの研究
电场辅助自旋注入磁存储器研究
  • 批准号:
    25420305
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゼロ磁場制御可能な面直磁化スピン注入源を用いたスピンホール効果トランジスタの開発
利用可在零磁场下控制的垂直磁化自旋注入源开发自旋霍尔效应晶体管
  • 批准号:
    13J08663
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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知道了