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Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.

Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.
用于自旋注入和自旋输运的硅通道汉勒效应自旋器件。
批准号：
26630153
负责人：
Sugahara Satoshi
金额：
$2.41万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630153/
关键词：
スピントロニクススピン注入スピントランジスタスピン伝導シリコンスピンデバイス非局所デバイススピン蓄積効果スピン注入源

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“Fabrication of a CoFe/TiO2/Si tunnel contact and its spin-injector application
“CoFe/TiO2/Si 隧道接触的制造及其自旋注入器应用
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Yusuke Shuto, Katsunori Takahashi, Taiju Akushichi, and Satoshi Sugahara]
通讯作者： and Satoshi Sugahara
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使用 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/AlOx/Si 隧道接触以及通过自由基氧退火制备的高质量隧道势垒在 Si 通道中进行自旋积累
DOI： --
发表时间： 2015
期刊： J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara]
通讯作者： and Satoshi Sugahara
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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara]
通讯作者： and S. Sugahara
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使用高质量 CoFe/MgO/Si 自旋注入器在 Si 通道中进行自旋累积
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara]
通讯作者： and S. Sugahara
共 15 条
    Nonvolatile power-gating technology based on CMOS/spintronics-hybrid CMOS circuits
    • 批准号：
      26249049
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $25.88万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Sugahara Satoshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金