Magnetoresistance in double-layered perovskite-type manganese oxides
双层钙钛矿型锰氧化物的磁阻
基本信息
- 批准号:15540331
- 负责人:
- 金额:$ 2.3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Single-crystal growth of double-perovskite NdBaMn2O6, which locates near the multicritical point among ferromagnetic metal, antiferromagnetic charge-ordered insulator, and antiferromagnetic two-dimensional metal, was tried. Transport measurements of twin single crystals show the significant reduction of Neel temperature of about 280 K by application of a magnetic field. Giant negative magnetoresistance along the c axis was observed ; resistivity at 240 K decreases by 1/30.Competing among the abovementioned three phases in the A-site ordered RBaMn2O6 system was investigated by X-ray diffuse scattering. Raman scattering spectroscopy was also performed to observe the effect of charge/orbital ordering in this system, where charge/orbital ordered MnO2 sheets attack along the c axis in a different manner from the conventional A-site-disordered perovskite manganese oxides (R,A)MnO3.Detail study of neutron diffraction in NdBaMn2O6 shows that ferromagnetically ordered MnO2 sheets antiferromagnetically stack along the c-axis. Lattice parameters a and b are suddenly elongated below Neel temperature, while the c length shrinks. This anomaly in lattice parameters clearly demonstrates that the ferro-type ordering of x2-y2 orbitals is formed simultaneously at the ordering of the Mn spin sector.
尝试位于铁电磁金属,抗磁性电荷绝缘子和抗铁磁两二维金属之间的多临界点附近的双晶矿物NDBAMN2O6的单晶生长。双晶晶体的转运测量表明,通过应用磁场,将尼尔温度的显着降低约为280 K。观察到沿C轴的巨大负磁扰。通过X射线弥漫性散射研究了240 K时的电阻率降低1/30.com。还进行了拉曼散射光谱法以观察该系统中充电/轨道订购的效果,在该系统中,电荷/轨道有序的MNO2板以与常规的A-site dies-stite perovskite氧化锰氧化物(R,R,A,a,a)MNO3.DETER的ndbamne ndbamn的含量不同,以与常规的A位置perovskite氧化锰(R.板沿c轴堆叠反铁磁。晶格参数A和B突然在Neel温度以下拉长,而C长度缩小。晶格参数中的这种异常清楚地表明,X2-Y2轨道的铁型顺序是在MN自旋扇区的订购下同时形成的。
项目成果
期刊论文数量(86)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Magnetization-induced Second-Harmonic Generation in Magnetic Semiconductor (Ga, Mn)As
磁性半导体 (Ga, Mn)As 中磁化引起的二次谐波产生
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y.Ogawa;M.Konoto;D.Akahoshi;T.Arima;J.H.Jung;K.Ishizaka;Y.Kaneko;M.Kubota;Y.H.Matsuda;M.Konoto;A.S.Hamid;Y.Ogawa;有馬孝尚;D.Higashiyama;Y.Ogawa
- 通讯作者:Y.Ogawa
Random potential effect near the bicritical region in perovskite manganites as revealed by comparison with the ordered perovskite analogs
- DOI:10.1103/physrevlett.90.177203
- 发表时间:2003-05-02
- 期刊:
- 影响因子:8.6
- 作者:Akahoshi, D;Uchida, M;Tokura, Y
- 通讯作者:Tokura, Y
D.Akahoshi, T.Arima, et al.: "Random Potential Effect near the Bicritical Region in Perovskite Manganites as Revealed by Comparison with the Ordered Perovskite Analogs"Phys.Rev.Lett.. 90(17). 177203 (2003)
D.Akahoshi、T.Arima 等人:“通过与有序钙钛矿类似物的比较揭示钙钛矿锰氧化物双临界区附近的随机电位效应”Phys.Rev.Lett.. 90(17)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Optical magnetoelectric effect in a submicron patterned magnet
- DOI:10.1103/physrevlett.94.077205
- 发表时间:2005-02-25
- 期刊:
- 影响因子:8.6
- 作者:Kida, N;Yamada, T;Tokura, Y
- 通讯作者:Tokura, Y
Magnetic control of ferroelectric polarization
- DOI:10.1038/nature02018
- 发表时间:2003-11-06
- 期刊:
- 影响因子:64.8
- 作者:Kimura, T;Goto, T;Tokura, Y
- 通讯作者:Tokura, Y
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