ハイブリッド配位構造が導く強的秩序物性の解明とマルチステートの発現
阐明混合配位结构和多态表达引起的强有序物理性质
基本信息
- 批准号:22H01768
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
高圧FZを用いて作製したScドープされたFe量1.25(Ga0.75)組成の単結晶を粉砕し粉末を得た。使用したSc量はx=0, 0.10, 0.15であった。作製した粉末においてXMCD測定にてFe L-edgeから得られるスペクトルより磁気モーメントの状態を解析した。Scの量と温度を変化させて実験を行った結果、Sc無ドープにおいては320KにてFe由来の磁気モーメントが存在することがわかった。また、酸素八面体から得られる磁化と酸素四面体から得られる磁気モーメントの方向は逆で有り、フェリ磁性であることがわかった。Scをドープしたサンプルにおいて、x=0.10および0.15で同様の磁気モーメントの振る舞いを示し、酸素八面体は無ドープと同様、酸素四面体から得られる磁気モーメントはほとんど無かった。構成される元素を考えると、GaおよびScは磁気モーメントを持たないので、Scをドープする事で優先的に酸素四面体サイトを占有すると考えられる。これを調査するために中性子回折を行った結果、XMCDから予想された結果とつじつまの合う結果となった。
The high-pressure FZ is made by pulverizing a single crystal composed of 1.25 Fe content (Ga0.75) prepared by using a chemical process. Use Sc to measure x = 0, 0.10, 0.15. Analysis of the state of Fe L-edge in powder preparation and XMCD determination The temperature of Sc is changed to 320 K, and the magnetic properties of Fe are changed to 320 K. The direction of the octahedral magnetization is reversed. Sc = 0.10 The composition of the elements, Ga, Sc, Sc, Ga, Ga, Sc, Sc, The results of this investigation are as follows:
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Enhancement of crystal anisotropy and ferroelectricity by decreasing thickness in (Al,Sc)N films
- DOI:10.2109/jcersj2.21184
- 发表时间:2022-07
- 期刊:
- 影响因子:1.1
- 作者:Shinnosuke Yasuoka;R. Mizutani;Reika Ota;T. Shiraishi;Takao Shimizu;S. Yasui;Yoshitaka Ehara;K. Nishida;M. Uehara;Hiroshi Yamada;M. Akiyama;Y. Imai;O. Sakata;H. Funakubo
- 通讯作者:Shinnosuke Yasuoka;R. Mizutani;Reika Ota;T. Shiraishi;Takao Shimizu;S. Yasui;Yoshitaka Ehara;K. Nishida;M. Uehara;Hiroshi Yamada;M. Akiyama;Y. Imai;O. Sakata;H. Funakubo
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
安井 伸太郎其他文献
強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察
铁电-反铁电相界(Bi,Sm)FeO3外延薄膜施加电场时的压电行为观察
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
安井 伸太郎;江原 祥隆;白石 貴久;清水 荘雄;舟窪 浩;伊藤 満;今井 康彦;田尻 寛男;坂田 修身;Ichiro Takeuchi - 通讯作者:
Ichiro Takeuchi
薄膜における材料探索 ~圧電体を例に~
薄膜中的材料探索~以压电材料为例~
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
安井 伸太郎;高橋 竜太;リップマー ミック;小西 綾子;森分 博紀;伊藤 満;安井伸太郎 - 通讯作者:
安井伸太郎
k-Al2O3型 (Ga1-x/2Fe1-x/2)ScxO3単結晶の磁性と誘電性:(2)磁性
k-Al2O3型(Ga1-x/2Fe1-x/2)ScxO3单晶的磁性和介电性能: (2)磁性
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
立山 昂輝;太宰 卓朗;安井 伸太郎;Jianding Yu;Yang Zhang;Hui Wang;Zhaoyang Xia;Jinghong Fang;符 徳勝;谷山 智康;伊藤 満 - 通讯作者:
伊藤 満
ポルフィリンを基盤とした縮環電子系によるトリメチレンメタン三重項ジラジカルの大幅な安定化とその物性
卟啉基稠环电子体系对三亚甲基甲烷三重态双自由基的显着稳定及其物理性质
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
立山 昂輝;太宰 卓朗;安井 伸太郎;Yu Jianding;Zhang Yang;Wang Hui;Xia Zhaoyang;Fang Jinghong;谷山 智康;伊藤 満;加藤研一・古川貢・大須賀篤弘 - 通讯作者:
加藤研一・古川貢・大須賀篤弘
層状複水酸化物のナノ結晶化による特異な表面反応場の創出
层状双氢氧化物纳米晶化创造独特的表面反应场
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
加藤 盛也;中島 伸夫;足立 純一;仁谷 浩明;武市 泰男;安井 伸太郎;徳留靖明,岡田健司,高橋雅英 - 通讯作者:
徳留靖明,岡田健司,高橋雅英
安井 伸太郎的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('安井 伸太郎', 18)}}的其他基金
ハイブリッド配位構造が導く強的秩序物性の解明とマルチステートの発現
阐明混合配位结构和多态表达引起的强有序物理性质
- 批准号:
23K23036 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
無焼結セラミックス成形技術を用いた高イオン伝導材料開発への挑戦
利用非烧结陶瓷成型技术开发高离子导电材料的挑战
- 批准号:
22K18883 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Bi系非鉛圧電体薄膜の厚膜化とSiデバイス作製プロセスの確立
Bi基无铅压电薄膜的增厚及Si器件制备工艺的建立
- 批准号:
11J09386 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
フェリ磁性体におけるフォノンーマグノン強結合の観測
亚铁磁体中强声子-磁振子耦合的观察
- 批准号:
23KJ1159 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を用いたスピン波偏光子の作製
使用亚铁磁材料制造自旋波偏振器
- 批准号:
21J10136 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を利用したスキルミオン移動型メモリの研究
亚铁磁材料斯格明子移动存储器的研究
- 批准号:
19J10013 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を利用した磁壁移動型メモリの研究
亚铁磁材料磁畴壁位移存储器研究
- 批准号:
17J08858 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピン導入型核酸塩基の自己集合を利用した有機フェリ磁性体の構築
利用自旋转移核碱基自组装构建有机亚铁磁材料
- 批准号:
08J01607 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を用いた熱アシストスピン注入磁化反転
使用亚铁磁体热辅助自旋注入磁化反转
- 批准号:
17760251 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機フェリ磁性体の磁気構造解明と高温有機磁石の開発
有机亚铁磁体磁结构的阐明和高温有机磁体的开发
- 批准号:
14703010 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
分子性フェリ磁性体の構築と磁性発現機構の解明
分子亚铁磁性材料的构建及磁性表达机制的阐明
- 批准号:
12740389 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
量子ヘテロスピン分子集合系の分子磁性と純有機フェリ磁性体の分子設計
量子异自旋分子组装体系的分子磁性和纯有机亚铁磁体的分子设计
- 批准号:
12740385 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
水素結合性錯体を用いた有機フェリ磁性体の設計と構築
使用氢键配合物设计和构建有机亚铁磁体
- 批准号:
09740514 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)














{{item.name}}会员




