超高集積化した磁性メモリセル

超高集成磁存储单元

• 批准号: 02F00339
• 负责人: 山本 雅彦
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2002 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02F00339/
• 关键词: 磁気デバイス; 磁性論理演算; 磁性コンピューター; 論理回路; マイクロマグネティックス; コンピューターシミュレーション; 磁化; スピン; 情報記憶デバイス; 磁性メモリ; 情報演算素子; 磁化状態; 漏洩磁束; 情報記録層; 静磁結合; 還流磁区

ナノメータースケールでの磁性を利用した磁気デバイスの明るい将来が期待できるデバイスの一つに、スピンコンピューターが考えられる。このデバイスを構築するためには、磁性メモリセルを利用することが優れた一つの方法と考えられる。磁性メモリセルは、メモリセル中の磁性層を所定の向きに磁化することにより情報を記憶する。本研究では、記憶した情報を相互作用させて演算する、磁性論理演算の可能性について、検討した。その結果、(1)NORとNAND回路の演算を、磁性セルを用いて行うことに成功し、計算機の基本演算回路AND, OR, NOTの論理演算を可能とした。スピンコンピューター用の論理回路に成功したことになる。(2)磁性セルの形状として、アスペクト比が2:1の楕円形状セルが二値を保持でき、適していることを明らかにした。磁性セルの形状として、円形状セル、四角形状セル、三角形状セルにすると、二値を発生出来なかった。円形状セルでは、磁場方向を360度回転すると、直径が200nmのときは磁場に追随して回転し、50nmのときは一つの値を保ったが、二つの値にすることは出来なかった。四角形状セル、三角形状セルも同様の傾向を示した。(3)演算には、4つの磁性セルを組み合わせ、上下左の3方向から入力させ、中央の磁性セルに演算結果を示す配置とした。(4)3方向の入力のうち、左側の入力を「0」としたとき、NORとして働き、「1」としたとき、NANDと働くことがわかった。

In the future, I am looking forward to the future. I am looking forward to the future. This is the first time in the world that the magnetic and magnetic properties have been tested by means of the method. The direction determined by the magnetic field in the magnetic field, the magnetic field and the magnetic field. In this study, we learn about the interaction between each other, the calculus, the possibility and the probability of the magnetic theory. The results of the simulation are as follows: (1) the NOR NAND loop calculus, the magnetic physics loop simulation success, the computer basic calculus loop AND, OR, NOT physics calculus may fail. This is the first time to use the circuit to manage the circuit. (2) Magnetic shapes, shapes and shapes. Magnetic shapes, shapes, four corners, triangles, and two shapes are born. The shape, the direction of the magnetic field, the diameter, the 200nm, the magnetic field, the diameter, the diameter, the diameter, The shape of the four corners and the shape of the triangle show the same shape to each other. (3) the calculation results of the calculation, the combination of the 4-inch magnetic hardware, the input force of the upper and lower left, and the results of the central magnetic calculation show that the configuration is complete. (4) in 3 directions, the force in the left is 0, the force in the left is 0, the force is not in the air, the force is not in the air, the force is not in the first place, and the NAND is in the air.

项目成果

S.Anisul Haque: "Permalloy Nanodots for Binary Logic Operation"International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures. 267 (2003)

S.Anisul Haque：“用于二进制逻辑运算的坡莫合金纳米点”原子控制表面、界面和纳米结构国际会议。

Ryoichi Nakatani, Takayuki Kusano, Hirotaka Yakame, Masahiko Yamamoto: "Magnetic and Electric Properties in C/Mn/C/Si Multilayers"Jpn. J. Appl. Phys.. 41・10. 5978-5981 (2002)

Ryoichi Nakatani、Takayuki Kusano、Hirotaka Yakame、Masahiko Yamamoto：“C/Mn/C/Si 多层膜的磁电特性”Jpn. Phys. 41・10 (2002)

Toshiki Kingetsu, Yasuhiro Kamada, Masahiko Yamamoto: "Structure and Magnetic Properties of Metallic Strained Superlattices"J. Magn. Soc. Jpn.. 26・4. 181-187 (2002)

金月俊树、镰田泰弘、山本正彦：“金属应变超晶格的结构和磁特性”Jpn. 26・4。

Toshiyuki Kingetsu, Yasuhiro Kamada, Masahiko Yamamoto: "Ternary Metallic Strained Superlattices"17th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces. 234-235 (2002)

Toshiyuki Kingetsu、Yasuhiro Kamada、Masahiko Yamamoto：“三元金属应变超晶格”第十七届国际磁性薄膜和表面研讨会。

S.Anisul Haque: "Magnetic logic gate for binary computing"Science and Technology of Advanced Materials. 5・1-2. 79-82 (2004)

S.Anisul Haque：“用于二进制计算的磁逻辑门”《先进材料科学与技术》5·1-2（2004）。