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溶液法／昇華法ハイブリッド成長における欠陥伝播メカニズム解明と高品位化実証

阐明缺陷传播机制并演示高质量的溶液/升华混合生长

基本信息

批准号：
22H01977
负责人：
三谷武志
金额：
$ 11.15万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2025-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

SiC結晶品質を飛躍的に向上しつつ製造コストの削減を目指し、溶液成長法と昇華再結晶法の利点を組み合わせたハイブリッド成長に係る研究開発を推進した。今年度はまず溶液成長法で形成した転位変換層について、表面マクロステップ構造のオフ角依存性、また溶媒組成依存性について詳細に調査した。Si、Si-5mol%Al、Si-5mol%Ti、Si-5mol%Nb溶媒に対して解析を行ったところ、Alは他の溶媒と比較して３μm未満程度のマクロステップではステップ端傾斜角が数度と小さく滑らかな成長界面を形成しやすいが、一方でそれ以上に大きいマクロステップに発達した場合にはSiやSi-Ti、Si-Nb溶媒よりも大きい傾斜を有する切り立ったステップ端構造へ変化することが明らかになった。溶液成長による貫通らせん転位（TSD）の変換効率向上にはステップ端傾斜角の増大が必要であり、Al添加溶媒でのマクロステップ形成が変換率を向上させ、且つ引き続く昇華再結晶成長での転位伝播の制御に有効であることが示唆された。昇華再結晶成長で基底面欠陥の排斥効率を調べるため、溶液成長による転位変換を行わず、０度から45度オフのシード結晶に直接昇華再結晶成長を行った場合の欠陥伝播挙動を調査した。その結果、オフ角の増大とともに単調に基底面欠陥への変換率が向上し、45度オフではほぼ全ての貫通らせん転位が基底面欠陥に変換することが分かった。一方、あらかじめ溶液法でTSDを基底面内に変換した場合には、8度オフではTSDに再び戻ってしまうが、15度オフでは基底面欠陥として排斥できる。15度オフ以上では昇華再結晶成長開始時における欠陥構造（TSDか基底面欠陥か）が伝播挙動に強く影響し、TSD―基底面欠陥の構造変化における活性化障壁が欠陥伝播の安定化をもたらしていることが分かった。

SiC crystal quality improvement in the production process to reduce the target, solution growth method and sublimation recrystallization method of the advantages of the combination of research and development to promote the development of SiC crystal growth system This year, the solution growth method was used to investigate the formation of different layers, surface structure, angle dependence and solvent composition dependence in detail. For the analysis of Si, Si-5mol%Al, Si-5mol%Ti, and Si-5mol%Nb solvents, Al and other solvents are compared with each other. For a 3μm thick Makrostae platform with a tilt angle of a few degrees and a small but smooth surface, a growth interface is formed, and more than one side is formed. When a large Makrostae platform is developed, there are Si, Si-Ti, Si-Nb solvent has a large tilt, and the structure of Si-Nb solvent has a large tilt. The transformation rate of solution growth is upward, the inclination angle of the opposite side is increased, the transformation rate of Al addition solvent is upward, and the sublimation recrystallization growth is controlled. Sublimation recrystallization growth, substrate undergrowth, rejection efficiency, solution growth, phase change, 0 ° C to 45 ° C crystallization, direct sublimation recrystallization growth, undergrowth, propagation, etc. As a result, the angle increases and the conversion rate of the base surface is increased by 45 degrees. A square, Above 15 ° C, the structure of sublimation recrystallization starts to grow, and the structure of TSD-basement is not stable.