光励起下にある溶存金属錯体の構造

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本研究では基底状態と励起状態でその構造が大きく変化すると考えられるd^<10>電子配置をとる金属錯体([Cu(dmphen)_2]X)の発光状態につてい研究した。(1)CH_2Cl_2,PVAおよびPMMAフィルム中の吸収発光スペクトルの温度変化を測定した。(a)PVA,PMMA中では低温になるほど高波数のピークが減少し、低波数のピークが高くなる。このとき、PMMA膜中の二つの発光についてデコンボリューションを行った結果、長波長側のバンドの位置は変化しないが、短波長側のものはレッドシフトし、強度が弱くなることが明らかになった。(b)CH_2Cl_2中では低温になるにつれ発光極大がレッドシフトし、強度は弱くなる。(2)室温でPVA,PMMA膜中の励起スペクトルのポーラリゼーションを測定した。吸収極大位置でP=1/2となり、またそれより〜5000cm^<-1>高波数側でP〜Oとなり、この領域に互いに直交する遷移モーメントをもつ状態の存在が明らかになった。(3)DV-Xα法により[Ct(α-diimine)_2]^+の最低励起状態について明らかにした。最低励起電荷移動状態について、遷移状態法を用いてそのエネルギーを見積り、最低電荷移動状態は発光状態と同じ方向の遷移モーメンとをもち、それより高波数側にこれと直交するポーラリゼーションをもつ状態があり、(2)で得られた結果を再現することができた。