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ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
异质生长中旋转孪晶产生机制及其控制的阐明
批准号：
04227213
负责人：
古川 静二郎
金额：
$0.77万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 1993
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04227213/
关键词：
ヘテロエピタキシー界面ローテーショナル・ツイン双晶二段階成長弗化物シリコン

项目摘要

项目成果

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Si(111)上にCaF_2を成長させる際に生じるツインが2段階成長により抑制できる現象の機構が以下のように明らかになった。2段階成長の初期層を成長する温度を変化させることにより、その温度での(熱力学的に)安定な一方の結晶方位に結晶成長がおこることを、X線回折及びMEEDパターンにより明らかにした。また、低温(約200℃)で成長したCaF_2の膜厚が8原子層よりも薄い場合は、その後高温(約600℃)にすることで、結晶方位がツイン発生の方位へ回転することが確かめられた。この逆過程は起こらないことから、低温成長界面は準安定状態であり、高温によって安定なツイン方位での成長あるいはこの方位への回転が起こると考えられる。以上より2段階成長において、初期層の厚みを8原子以上にすれば、ツインを抑制し基板と同じ方位に結晶成長可能であると結論した。またGaAs/CaF_2界面においても、GaAsの結晶成長を類似の二段階成長法で行うことでGaAsのツインを抑制できることが分かった。さらにGaAs成長に対して従来より行っている電子線照射によるCaF_2表面FをAsで置きかえるという改質に用いる電子線の低エネルギー限界値を求め、さらにその機構の推測がXPSで明確化できる見通しを得た。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
A.Izumi,K.Tsutsui,S.Furukawa: "¨Study of Surface Modification of CaF_2 on Si(111) by Low-Energy Electron Beam¨" Eleventh Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium. 215-220 (1992)
A. Izumi、K. Tsutsui、S. Furukawa：“低能电子束对 Si(111) 上 CaF_2 表面改性的研究”第十一次合金半导体物理与电子学研讨会记录 215-220 (1992)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Ohmi,K.Tsutusi,S.Furukawa: "¨Mechanism of Epitaxial Growth of CaF_2 on Si by the 2-step Growth Method.¨" Eleventh Record of Alloy Semiconductor Physics and Eleletronics Symposium. 209-214 (1992)
S. Ohmi、K. Tsutusi、S. Furukawa：“通过两步生长法在 Si 上外延生长 CaF_2 的机制。”合金半导体物理与电子学研讨会第十一次记录 209-214（1992 年）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A.Ono,K.Tsutsui,S.Furukawa: "¨Control of Rotational Twins in a SOI-GaAs Film Grown on Surface Modifide Fluoride/Si(111)¨" Appl.Surf.Science. 60/61. 608-612 (1992)
A.Ono、K.Tsutsui、S.Furukawa：“在表面改性氟化物/Si(111) 上生长的 SOI-GaAs 薄膜中旋转孪晶的控制”Appl.Surf.Science 608-612。 1992）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Mizukami,A.Ono,K.Tsutsui and S.Furukawa: "¨A Novel Growth Method for High Quality GaAs/CaF_2/Si(111) Structures by using Type-A CaF_2 Film¨" Mat.Res.Soc.Proc.237. 505-510 (1992)
H. Mizukami、A. Ono、K. Tsutsui 和 S. Furukawa：““使用 A 型 CaF_2 薄膜实现高质量 GaAs/CaF_2/Si(111) 结构的新颖生长方法”Mat.Res.Soc.Proc .237.505-510（1992）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 6 条
    ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
    • 批准号：
      03243213
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      1991
    • 负责人：
      古川 静二郎
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明
    • 批准号：
      03650248
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      1991
    • 负责人：
      古川 静二郎
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用
    • 批准号：
      02452075
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.8万
    • 财政年份：
      1990
    • 负责人：
      古川 静二郎
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    積層極微構造成長法およびサイズ効果電子デバイスの基礎特性の研究
    • 批准号：
      59103006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $13.5万
    • 财政年份：
      1984
    • 负责人：
      古川 静二郎
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    柔性储能中“软段 ”调控制备高离子电导率PU基电解质及界面调控机制研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      崔鹏
    • 依托单位：
      南京工业大学
    电解水反应中单原子催化剂表界面重构驱动的第一/第二配位壳层动态演变机制研究
    • 批准号：
      ZCLQN26E0101
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      张杰
    • 依托单位：
      浙江理工大学
    关键界面温室气体源汇对典型蓝碳系统碳汇影响评估
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      谭萼辉
    • 依托单位：
      海南大学
    基于人工智能靶向OTUD3-FOXM1蛋白互作界面干预代谢功能障碍相关脂肪性肝病的作用和机制研究