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ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

异质生长中旋转孪晶产生机制及其控制的阐明

基本信息

批准号：
04227213
负责人：
古川静二郎
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至 1993
项目状态：
已结题

项目摘要

Si(111)上にCaF_2を成長させる際に生じるツインが2段階成長により抑制できる現象の機構が以下のように明らかになった。2段階成長の初期層を成長する温度を変化させることにより、その温度での(熱力学的に)安定な一方の結晶方位に結晶成長がおこることを、X線回折及びMEEDパターンにより明らかにした。また、低温(約200℃)で成長したCaF_2の膜厚が8原子層よりも薄い場合は、その後高温(約600℃)にすることで、結晶方位がツイン発生の方位へ回転することが確かめられた。この逆過程は起こらないことから、低温成長界面は準安定状態であり、高温によって安定なツイン方位での成長あるいはこの方位への回転が起こると考えられる。以上より2段階成長において、初期層の厚みを8原子以上にすれば、ツインを抑制し基板と同じ方位に結晶成長可能であると結論した。またGaAs/CaF_2界面においても、GaAsの結晶成長を類似の二段階成長法で行うことでGaAsのツインを抑制できることが分かった。さらにGaAs成長に対して従来より行っている電子線照射によるCaF_2表面FをAsで置きかえるという改質に用いる電子線の低エネルギー限界値を求め、さらにその機構の推測がXPSで明確化できる見通しを得た。

The growth of the CaF_2 on the Si (111l) is very important for the growth of the second section of the plant. In the second stage, the temperature change in the early stage of growth, the temperature change, the temperature stability, the crystal orientation, the X-ray back and the MEED temperature in the early stage of growth. The growth temperature, low temperature (about 200C), growth temperature (200C), growth temperature (200C), low temperature (200C). In the opposite process, the low temperature growth interface is stable, the high temperature temperature is stable, the growth direction is high, the growth direction is high, and the temperature is stable. The growth of the above two stages, the initial thickness of more than 8 atoms, the inhibition of the growth of the substrate in the same direction and the growth of the crystal may affect the results. The growth behavior of the GaAs/CaF_2 interface is similar to that of the two-stage growth method, which is similar to that of the two-stage growth method. The effect of the two-stage growth method is similar to that of the GaAs interface. For the growth of GaAs, it is necessary to irradiate the cable caf _ 2 on the surface of the caf _ 2. The F-ray As on the surface of the caf _ 2 is changed to use the low-voltage threshold of the caf _ 2, and the XPS is recommended by the regulatory agency to ensure the accuracy of the transmission.