ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

异质生长中旋转孪晶产生机制及其控制的阐明

• 批准号: 03243213
• 负责人: 古川 静二郎
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03243213/
• 关键词: ロ-テ-ショナル・ツイン; 回転双晶; ヘテロエピタキシ-; GaAs; 弗化物; (111)面; 2段階成長

本研究は、(111)面上での異種材料どうしのヘテロエピ成長において問題になるロ-テ-ショナル・ツイン(回転双晶)の発生について、GaAs/弗化物混晶/Si構造を例にとり、その発生機構と制御方法を明らかにすることを目的としている。本年度得られた結果として、まず、Si(111)面上にCaF_2を成長する際に、2段階成長で回転双晶が抑制される機構に対する検討を行い、つぎのような知見を得た。1)界面のエピタキシャル方位関係は、CaF_2の成長初期温度で決まり、300℃以下の場合にはタイプAだけで回転双晶発生が抑制され、400℃以上ではタイプBとなって界面全領域で回転双晶が発生する。2)回転双晶抑制のための低温成長層の膜厚依存性を調べ、5原子層担当の堆積でタイプAのCaF_2が得られること、3原子層担当以下では、タイプBになることが分かった。次に、CaF_2上のGaAs膜成長における回転双晶の発生と抑制法を検討し、以下の結果を得た。3)従来法で成長したGaAs膜中には、タイプA領域とタイプB領域が混在している。タイプB領域の混在率は、GaAsの成長温度が低いほど低減する。この温度依存性には、Si上のCaF_2の場合との類似が認められる。4)GaAsの成長においても、成長の初期温度を下げる2段階成長法によって、回転双晶を抑制した全面タイプAの成長膜が得られた。以上の結果から、GaAs/CaF_2/Si(111)ヘテロ構造における、各々の界面での回転双晶の制御の方法およびその条件が明らかになった。これにより、この制御機構の解明にむけて研究の焦点が絞られてきたといえる。

In this study, (111) on the surface of various materials, the growth and growth of various materials, the growth and growth of different kinds of materials, the growth of various materials, the growth and growth of various materials. The results of this year show that the growth of CaF_2 and the growth of twin crystals in two stages of CaF_2 growth have inhibited the operation of the financial institutions, and the information has been learned by the financial institutions. The main results are as follows: 1) the temperature at the beginning of the growth of CaF_2, the temperature of the interface, temperature, temperature, temperature and temperature. 2) the double crystal suppresses the growth of the film at low temperature, the thickness of the film is dependent on the thickness of the film, 5 atoms act as stacking atoms, Atom caf _ 2 atoms, 3 atoms, and B atoms, respectively. The growth of GaAs film on CaF_2 was tested by double crystal growth inhibition method, and the following results showed good results. 3) in recent years, in the growth of GaAs films, there are many problems in the field of growth, such as the field of growth, the field of growth, the field of growth and the growth of the film. In the B field, the mixing rate is low, and the growth temperature of GaAs is low. The temperature dependence and the caf _ 2 combination on Si seem to be confirmed. 4) the growth temperature of GaAs, the growth temperature at the beginning of the growth period, the growth temperature of the second section and the double crystal phase of the double crystal phase inhibit the growth of the film. The results of the above results, GaAs/CaF_2/Si (111l) system, the interface of the system back to the double crystal control method, the conditions are very clear. The control and control institutions of the government should explain the focus of the research of the financial institutions.

项目成果

A.Cno;K.Tsutsui and S.Furukawa: "“Control of rotational twin of SOI‐GaAs film grown on surface modified fluoride/Si(111)stracture"" Appl.Surf.Sei.(1992)

A.Cno；K.Tsutsui 和 S.Furukawa：“控制在表面改性氟化物/Si(111) 结构上生长的 SOI-GaAs 薄膜的旋转孪晶”Appl.Surf.Sei.(1992)

H.Mizukami;K.Tsutsui and S.Furukawa: "“Effect of substrate off‐orientation on GaAs/CaF_2/Si(111)structure with rotational twin"" Jpn.J.of Appl.Phys.30. 3349-3354 (1991)

H.Mizukami；K.Tsutsui 和 S.Furukawa：“衬底偏向对具有旋转孪晶的 GaAs/CaF_2/Si(111) 结构的影响”Jpn.J.of Appl.Phys.30。 1991)

H.Mizukami;A.Ono;K.Tsutsui and S.Furukawa: "“A novel growth method for high guality GaAs/CaF_2/Si(111)structares using “TypeーA"CaF_2 film"" Material Researoh Sociely Proc.(1992)

H.Mizukami;A.Ono;K.Tsutsui 和 S.Furukawa：“使用“A 型”CaF_2 薄膜的高品质 GaAs/CaF_2/Si(111) 结构的新颖生长方法”Material Researoh Sociely Proc.（1992 年） ）