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ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
异质生长中旋转孪晶产生机制及其控制的阐明
批准号：
03243213
负责人：
古川 静二郎
金额：
$1.54万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03243213/
关键词：
ロ-テ-ショナル・ツイン回転双晶ヘテロエピタキシ-GaAs弗化物(111)面2段階成長

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究は、(111)面上での異種材料どうしのヘテロエピ成長において問題になるロ-テ-ショナル・ツイン(回転双晶)の発生について、GaAs/弗化物混晶/Si構造を例にとり、その発生機構と制御方法を明らかにすることを目的としている。本年度得られた結果として、まず、Si(111)面上にCaF_2を成長する際に、2段階成長で回転双晶が抑制される機構に対する検討を行い、つぎのような知見を得た。1)界面のエピタキシャル方位関係は、CaF_2の成長初期温度で決まり、300℃以下の場合にはタイプAだけで回転双晶発生が抑制され、400℃以上ではタイプBとなって界面全領域で回転双晶が発生する。2)回転双晶抑制のための低温成長層の膜厚依存性を調べ、5原子層担当の堆積でタイプAのCaF_2が得られること、3原子層担当以下では、タイプBになることが分かった。次に、CaF_2上のGaAs膜成長における回転双晶の発生と抑制法を検討し、以下の結果を得た。3)従来法で成長したGaAs膜中には、タイプA領域とタイプB領域が混在している。タイプB領域の混在率は、GaAsの成長温度が低いほど低減する。この温度依存性には、Si上のCaF_2の場合との類似が認められる。4)GaAsの成長においても、成長の初期温度を下げる2段階成長法によって、回転双晶を抑制した全面タイプAの成長膜が得られた。以上の結果から、GaAs/CaF_2/Si(111)ヘテロ構造における、各々の界面での回転双晶の制御の方法およびその条件が明らかになった。これにより、この制御機構の解明にむけて研究の焦点が絞られてきたといえる。
英文摘要
本研究は、(111)面上での異種材料どうしのヘテロエピ成長において問題になるロ-テ-ショナル・ツイン(回転双晶)の発生について、GaAs/弗化物混晶/Si構造を例にとり、その発生機構と制御方法を明らかにすることを目的としている。本年度得られた結果として、まず、Si(111)面上にCaF_2を成長する際に、2段階成長で回転双晶が抑制される機構に対する検討を行い、つぎのような知見を得た。1)界面のエピタキシャル方位関係は、CaF_2の成長初期温度で決まり、300℃以下の場合にはタイプAだけで回転双晶発生が抑制され、400℃以上ではタイプBとなって界面全領域で回転双晶が発生する。2)回転双晶抑制のための低温成長層の膜厚依存性を調べ、5原子層担当の堆積でタイプAのCaF_2が得られること、3原子層担当以下では、タイプBになることが分かった。次に、CaF_2上のGaAs膜成長における回転双晶の発生と抑制法を検討し、以下の結果を得た。3)従来法で成長したGaAs膜中には、タイプA領域とタイプB領域が混在している。タイプB領域の混在率は、GaAsの成長温度が低いほど低減する。この温度依存性には、Si上のCaF_2の場合との類似が認められる。4)GaAsの成長においても、成長の初期温度を下げる2段階成長法によって、回転双晶を抑制した全面タイプAの成長膜が得られた。以上の結果から、GaAs/CaF_2/Si(111)ヘテロ構造における、各々の界面での回転双晶の制御の方法およびその条件が明らかになった。これにより、この制御機構の解明にむけて研究の焦点が絞られてきたといえる。
期刊论文(5)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
A.Cno;K.Tsutsui and S.Furukawa: "“Control of rotational twin of SOI‐GaAs film grown on surface modified fluoride/Si(111)stracture"" Appl.Surf.Sei.(1992)
A.Cno；K.Tsutsui 和 S.Furukawa：“控制在表面改性氟化物/Si(111) 结构上生长的 SOI-GaAs 薄膜的旋转孪晶”Appl.Surf.Sei.(1992)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Mizukami;K.Tsutsui and S.Furukawa: "“Effect of substrate off‐orientation on GaAs/CaF_2/Si(111)structure with rotational twin"" Jpn.J.of Appl.Phys.30. 3349-3354 (1991)
H.Mizukami；K.Tsutsui 和 S.Furukawa：“衬底偏向对具有旋转孪晶的 GaAs/CaF_2/Si(111) 结构的影响”Jpn.J.of Appl.Phys.30。 1991)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Mizukami;A.Ono;K.Tsutsui and S.Furukawa: "“A novel growth method for high guality GaAs/CaF_2/Si(111)structares using “TypeーA"CaF_2 film"" Material Researoh Sociely Proc.(1992)
H.Mizukami;A.Ono;K.Tsutsui 和 S.Furukawa：“使用“A 型”CaF_2 薄膜的高品质 GaAs/CaF_2/Si(111) 结构的新颖生长方法”Material Researoh Sociely Proc.（1992 年） ）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
  • 批准号：
    04227213
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明
  • 批准号：
    03650248
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用
  • 批准号：
    02452075
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.8万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
積層極微構造成長法およびサイズ効果電子デバイスの基礎特性の研究
  • 批准号：
    59103006
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $13.5万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology