权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

光電子ニューロデバイスの研究

光电神经器件研究

基本信息

批准号：
04228207
负责人：
米津宏雄
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至 1992
项目状态：
已结题

项目摘要

超並列演算が必要なニューロコンピューティングのハード化には、学習によってシナプス結合重みが変わる適応デバイスと光配線素子がキー・デバイスである。本年度においては、前年度から研究・試作を続けてきた電気適応デバイスを改良してよりアルゴリズムに近い自己組織化機能を確認すると共に、さらに光配線に適した光適応デバイスを考案・試作した。また、光配線素子の基礎となる結晶材料については、格子不整合基板上に歪単分子超格子を導入することによって、エピタキシャル層内の結晶欠陥(転位)を大幅に減らすことを試みた。電気適応デバイスについては、フローティングゲートへの電子の注入と放出用の端子を独立に設け、またシナプス結合重みが修正信号の印加時間に比例して変わる修正信号発生回路を考案・試作した。これらを用いて2層の基本光電子ネットワークを構成し、学習・自己組織化機能を確認した。また、多層ネットワークの自己組織化も可能なことが原理的に明らかにされた。光適応デバイスでは、フローティングゲートに注入される電子数を光信号によって制御することを試みた。光信号の強度に比例して、MOSトランジスタのしきい値が高くなることが明らかにされた。このデバイスへ差動結合させることにより、光信号によって結合重みを変化させることができる。光配線素については、チップ間光配線用にSi基板を透過する光(波長1.1μm以上)を出す結晶材料として、InGaAs on Siが候補である。その前段階として化合物半導体どうしのInGaAs on GaAsの低転位化を試みた。その結果、(InAs)l(GaAs)n歪単分子超格子を挿入することによって、InGaAs層内の貫通転位を大幅に減らすことができた。今後は、光適応デバイスと光配線素子を中心にして、より汎用性の高い基本デバイスの確立に向けて研究を進める予定である。

Super-parallel calculation is necessary to study the relationship between phototropes and phototropes. This year's study and trial work were carried out to improve the electrical adaptability of the system and to confirm the self-organizing function of the system. The crystalline material of the base of the photoluminescence element is greatly reduced by introducing the molecular superlattice on the lattice disconformity substrate. The terminal for electron injection and emission of the electric power supply is independently set, and the ratio of the input time of the correction signal is changed. The correction signal generation circuit is tested and tested. The two layers of basic optoelectronic components, learning and self-organizing functions are confirmed. The principle of multi-layer organization is clear. The optical signal is controlled by the electron number injected into the optical fiber. The intensity of the optical signal is proportional to the MOS value. The differential combination of optical signals and optical signals The Si substrate for photoluminescence transmits light (wavelength 1.1μm or more) from crystalline materials and InGaAs on Si as candidates. The first stage of the semiconductor compound is InGaAs on GaAs and the second stage is GaAs. As a result, the (InAs)l(GaAs)n single molecular superlattice has been greatly reduced. In the future, the research on the establishment of high basic optical properties of optical distribution elements will be carried out in the future.