光電子ニューロデバイスの研究
光電子ニューロデバイスの研究
批准号:
05212209
负责人:
米津 宏雄
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 1993
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
脳の高次機能に範を求めたニューロコンピューティングの特異な情報処理機構は学習による自己組織化である。これを光電子集積回路で実現するための基礎となる光適応デバイスと光配線素子について前年度に引続き研究を進めた。シナプス結合を構成する光適応デバイスについては、浮遊ゲートを有する新しい構造を考案し、光パルス学習信号の光子数に比例して動作電流が変わり、信号が加えられなければ前の状態が不揮発に保たれるという機能が実現された。この光適応デバイスを用いて、シナプス結合重みの可塑性を実現すると共に総和一定則を実現する見通しが得られた。さらに、教師無し学習の典型例である競合学習アルゴリズムにおいて、結合重みが学習信号に応じて自動的に変わり、ネットワークが自己組織化することが基本ネットワークのシミュレーションで確認された。光配線素子については、多層チップ・システムのチップ間を空間並列光配線によって接続するために、Si基板を透過する波長1.1μmの発光素子を検討した。まず、Si基板上に結晶欠陥の少ないGaAs層を得るために高温熱処理を試み、貫通転位密度を大幅に減らすことができることを見い出した。さらに、歪短周期超格子を用いることによりGaAs成長時に貫通転位の発生が抑制されることが見い出された。また、(InAs)1(GaAs)n歪短周期超格子を用いると転位が発生しない層厚が著しく増加することが見い出され、これを量子井戸にして1.1μmの波長の発光が室温で得られた。これらの結果、ニューロコンピューティングを光電子集積回路によって実現するための基礎技術が明らかになった。
期刊论文(14)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
K.Tsuji: "Adaptive Device for Synaptic Connection with Optical Interconnections" Electron.Lett.29. 1774-1775 (1993)
K.Tsuji:“用于具有光学互连的突触连接的自适应装置”Electron.Lett.29。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
C.Mead著(臼井,米津訳): "アナログVLSIと神経システム" トッパン, 443 (1993)
作者:C. Mead(臼井、米津译):《模拟 VLSI 和神经系统》Toppan,443 (1993)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Takagi: "Reduction Mechanism of Threading Dislocation Density GaAs Epilayer Grown on Si Substrate by High Temperature Annealing" Jpn.J.Appl.Phys.(1994)
Y.Takagi:“通过高温退火在Si衬底上生长的螺纹位错密度GaAs外延层的降低机制”Jpn.J.Appl.Phys.(1994)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Kawai: "Growth Mechanism of (InAs)_m(GaAs)_n Strained Short-Period Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy" J.Appl.Phys.74. 7257-7263 (1993)
T.Kawai:“分子束外延生长的 (InAs)_m(GaAs)_n 应变短周期超晶格的生长机制”J.Appl.Phys.74。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Yonezu: "Integrated Optoelectronic Neuro-Devices" Optoelectronics-Devices and Technol.8. 73-84 (1993)
H.Yonezu:“集成光电神经设备”光电设备和技术8。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 7 条
化合物半導体-シリコン無転位一体化層の高品質化と光デバイスへの応用
-
批准号:14205004
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$20.72万
-
财政年份:2002
-
负责人:米津 宏雄
-
依托单位:
光電子ニューロデバイスの研究
-
批准号:04228207
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1991
-
负责人:米津 宏雄
-
依托单位:
光電子ニュ-ロデバイスの研究
-
批准号:03244205
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1991
-
负责人:米津 宏雄
-
依托单位: