強相関効果の関与したスピン制御現象の研究

涉及强相关效应的自旋控制现象研究

• 批准号: 09244202
• 负责人: 酒井 治
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09244202/
• 关键词: 量子ドット; トンネル効果; アハラノフ・ボ-ム効果; 近藤効果

量子ドットを介したトンネル効果において、高温のクーロンブロッケイドから中途温度でスピン自由度による非弾性散乱が効く領域に変化し、さらに低温で近藤一重項形成にともなって干渉性が回復する領域へ移り変わる可能性は、はやくから期待されていた。しかし、このような多体系のトンネル効果を、非干渉性領域から干渉性領域にわたり具体的に統一的な計算で調べることは、従来は不可能であった。申請者らは数値繰り込み群の方法を発展させることにより、この問題の計算を可能にした。量子コヒーレンスの問題はアハラノフ・ボ-ム(AB)効果により調べるのが適切である。ドットを含むAB回路の伝導度の印加磁束による振動を調べ、その温度依存性の詳細を明かにした。高温から温度を下げるに従い、AB振動の振幅はだんだん大きくなる。しかし、振幅が一様に増加するとは限らず、高調波振動の発生等、予想外の現象も現われることを見いだした。これは近藤効果の特性温度が外部パラメーター変化に敏感であるため、磁束の変化によりドットのスピン状態のクロスオーバーが発生することによるものである。第二に単ドット系の回路について、ドットの複数の軌道がトンネル効果に寄与し得る場合について調べた。各軌道状態に対応する近藤温度が大きく異なることが起こり得ることを示した。この場合、異なった軌道を介するプロセスの干渉性は異なった温度依存性を持ち、トンネル効果にあらわれる干渉効果が温度により大きく変化する。従って、高温の単純なクーロンブロッケードの領域と最低温の干渉性の完全である領域の中間に、干渉性の部分的発達に対応した様々なパターンのゲート電圧依存性が現われる。いずれの場合も、温度に応じた多彩な干渉性が発現することは相互作用系であること特徴である。

The quantum physics theory is based on the theory of quantum physics. The quantum physics theory is based on the theory of quantum physics. The quantum physics theory is based on the theory of quantum physics. The quantum physics theory is based on the theory of quantum physics. Multi-system results, non-interference domain, interference domain, unified calculation, non-interference domain, and non-interference domain. The applicant shall submit a report on the calculation of the number of questions. The problem of quantum optics is that it is not appropriate to adjust the quantum optics. The temperature dependence of the AB loop is described in detail, including the modulation of vibration and the temperature dependence of the AB loop. High temperature, low temperature, AB vibration amplitude For example, if the amplitude increases, the amplitude increases, the amplitude The characteristic temperature of the Kondo effect is changed from external to internal, and the magnetic beam is changed from external to internal. The second is to adjust the loop of the single track system and the multiple tracks of the single track system. The temperature of Kondo varies greatly from orbital state to orbital state. In this case, the orbit of the orbit is different, and the temperature dependence of the orbit is different. The temperature and purity of the heat exchanger and the temperature and dryness of the lowest temperature exchanger and the dryness of the middle part of the heat exchanger and the conductivity of the heat exchanger are dependent on each other. In this case, the temperature is different, and the interaction system is different.

项目成果

M.Tsunekawa, O.Sakai,: "High Resolution Photoemision Study of CeRu_2Si_2" Solid State Communications. 103・12. 659-662 (1997)

M.Tsunekawa，O.Sakai，“CeRu_2Si_2 的高分辨率光电发射研究”103・12（1997）。

Osamu Sakai, Ryousuke Shiina, Hiroyuki Shiba, and Peter Thalmeier.: "A New Interpretation of NMR in Quadrupolar Ordering Phase of CeB_6 -Consistency with Neutron Scattering" Journal of Physical Society of Japan. 66・10. 3005-3007 (1997)

Osamu Sakai、Ryousuke Shiina、Hiroyuki Shiba 和 Peter Thalmeier.：“CeB_6 四极有序相中的 NMR 的新解释 - 与中子散射的一致性”日本物理学会杂志 66・10（1997 年）。

Shunya Suzuki, Osamu Sakai, and Yukihiro Shimizu.: "An Extended Anderson Model that shows Decreasing Resistivity with Decreasing Temperature" Solid State Communucations. 104・7. 429-433 (1997)

Shunya Suzuki、Osamu Sakai 和 Yukihiro Shimizu。：“显示电阻率随温度降低而降低的扩展安德森模型”104・7（1997 年）。

Osamu Sakai, Shunya Suzuki, and Yukihiro Shimizu.: "T^<1/2> Decreasing Resistivity with Decreasing Temperature : A Two Channel Impurity Anderson Model with an Extra Local Spin" Journal of Magnetism and Magnetic Materials. (印刷中). (1998)

Osamu Sakai、Shunya Suzuki 和 Yukihiro Shimizu.：“T^<1/2> 电阻率随温度降低而降低：具有额外局部自旋的双通道杂质安德森模型”《磁性与磁性材料杂志》，1998 年。 ）

H.-D.Kim, O.Sakai,: "Surface and Bulk 4f-Photoemission Spectra of CeIn_3 and CeSn_3" Phyisical Review. B56・3. 1620-1624 (1997)

H.-D.Kim、O.Sakai：“CeIn_3 和 CeSn_3 的表面和体 4f 光电子发射光谱”B56・3（1997 年）。