磁性半導体量子構造を用いたブロッホウォールメモリの研究

利用磁性半导体量子结构的布洛赫壁存储器研究

• 批准号: 09244215
• 负责人: 小川 真人
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09244215/
• 关键词: 半導体中のスピン制御; 磁性半導体; バンド構造; sp^3s^* 強結合近似; エバネッセントモード; バンド混合効果; Wigner関数

本研究では、量子ドットにおけるスピン自由度を考慮した電子輸送現象の研究と、磁性半導体量子構造の量子効果を利用したデバイスの実用化に向けた研究を行うことを目的としている。今年度は、化合物半導体量子構造において、バンド構造(sp^3 軌道混成によるバンド混合効果)を厳密に考慮して、スピンを伴う電子-電子相互作用、電子-フォノン相互作用とを取り入れた量子輸送モデルを研究し、微細構造中電子の静的および動的な輸送現象の解明を行うことを達成目標とし、半導体量子構造中の電子の挙動をsp^3s^* 強結合近似に基づいて結晶のバンド構造を反映させて記述する量子ダイナミクスモデルについて研究を進めた。現在まで磁性不純物を含まない系で、sp^3 混成のある場合の量子輸送特性に関して定式化を行い、電子の量子輸送解析に関して成果を得た。その際、実バンド構造とエバネッセントモード(減衰波)に対応する複素バンド構造を求め、電子波の固有平面波解とヘテロ界面におけるエバネッセントモードのモードマッチング法により量子構造に垂直方向の電子の輸送解析を行った。この手法によりバンド間のミキシングとバンドの非放物線性を取り入れた量子輸送解析が可能となり、従来の単純なバンド構造では説明不可能な実験結果をも説明可能なモデルとして確立することができた。

This study is aimed at studying the quantum effects of magnetic semiconductor quantum structures in consideration of the electron transport phenomenon. This year, compound semiconductor quantum structure (SP^3 Orbital Hybrid) The electron electron interaction and electron interaction are closely considered. The quantum transport phenomenon of electron in fine structure is studied. The electron motion in semiconductor quantum structures is strongly bound to the fundamental approximation, and the crystal structure is reflected in the quantum structure. The quantum transport properties of magnetic impurities in the system and in the case of sp^3 hybrids have been formulated and analyzed. In the case of quantum structure, the eigenplane wave solution of electron wave and the electron transport analysis in the vertical direction are obtained by the method of quantum structure. This technique involves quantum transport analysis, which is possible, impossible, and impossible. The result is possible and impossible.

项目成果

M.Ogawa: "Analysis of valence-subband structures in a quantum wire with an arbitrary cross-section" Physica. B227. 65-68 (1996)

M.Okawa：“具有任意横截面的量子线中的价子带结构的分析”Physica。

M.Ogawa: "Analysis of Optical Properties of Corrugated Quantum Wire Structure Fabricated on(775)B GaAs Surface" Conference Workbook of the 12th Int.Conf.on Electron.Properties of Two-Dim.Systems(EP2DS-12),(to appear in Physica B). 549-552 (1997)

M.Okawa：“(775)B GaAs表面制造的波纹量子线结构的光学性质分析”第12届二维系统电子性质国际会议工作手册(EP2DS-12)，(至

M.Ogawa: "Multiband Quantum Transport with Γ-X Valley-Mixining via Evanescent States" Abstract of Int.Workshop on Nano-Phyisics and Electronics(NPE'97)(to be published in Solid St.Electron.). 224-226 (1997)

M.Okawa：“Multiband Quantum Transport with gamma-X Valley-Mixining via Evanescent States”摘要纳米物理和电子学国际研讨会（NPE97）（将在 Solid St.Electron 上发表）。 (1997)

M.Ogawa: "Anisotropic Optical Properties of Arbitrarily Oriented Quantum Wires with Arbitrary Cross Sections" Abstract of Int.Workshop on Nano-Physics and Electronics(NPE'97),(to be published in Solid St.Electron.). 549-552 (1997)

M.Okawa：“具有任意横截面的任意取向量子线的各向异性光学性质”纳米物理与电子国际研讨会摘要（NPE97），（将发表在Solid St.Electron.）。