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Direct growth of ternary or higher arsenide-based semiconductors on Si(001) epitaxial substrates
在 Si(001) 外延衬底上直接生长三元或更高砷化物基半导体
基本信息
- 批准号：23K04598
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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- 影响因子：0
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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荒川 泰彦
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19569003 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)