CVD法による炭化チタン系非酸化物セラミックスの耐熱鋼上への被覆
CVD法在耐热钢上涂覆碳化钛基非氧化物陶瓷
基本信息
- 批准号:01603505
- 负责人:
- 金额:$ 2.37万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1989
- 资助国家:日本
- 起止时间:1989 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
水の熱化学反応による水素製造プロセスの一つである“UT-3"の実用化のために、耐食性の優れた装置構成材料の開発が求められている。また、装置を大型化するために、加工性の優れた金属材料を用いる必要がある。しかし、“UT-3"プロセスの環境に耐えうる高耐食性の金属材料はない。そこで、本研究では、ステンレス鋼の耐食性を向上するために、CVD法により炭化チタン(TiC)/炭化ケイ素(SiC)膜を被覆することを試み、その最適合成条件及びBr_2ーO_2雰囲気における高温腐食挙動を明らかにすることを目的とした。TiCl_4+CH_4+H_2ガスを原料として、ステンレス鋼(SUS304)上にTiC膜を被覆し、引き続いて、(CH_3)_4Si+H_2およびCH_3SiCl_3+H_2ガスを原料としてSiC膜を被覆した。SUS304上にTiC膜を約10μm以上被覆した場合にはTiC膜上に緻密なSiC膜を合成することができたが、TiC膜が10μm以下の場合には気相中のSi源とSUS304中のFeが反応して、FeSiやη-Fe_5Si_3が形成され、緻密なSiC膜は形成されなかった。TiC/SiC膜を被覆したSUS304のBr_2-O_2雰囲気における腐食挙動を、973〜1173Kの温度範囲で熱天秤を用いて調べた。TiC膜を被覆したSUS304は比較的良好な耐食性を示すものの、約1000K以上の高温では耐食性が低下するのに対し、TiC/SiC膜を被覆したSUS304ではいずれの温度でも極めて優れた耐食性を示した。CH_3SiCl_3をSi源としたSiC膜では、腐食によるわずかな重量増加が認められた。これはSiC膜中の残留応力によって微小なクラックが発生し、そのクラックを通して下層のTiC膜がわずかに酸化された。一方、CH_3SiCl_3をSi源としたSiC膜では、いずれの温度でも腐食による重量変化や表面組織の変化は全く認められなかった。CH_3SiCl_3をSi源としてTiC/SiC膜を被覆したSUS304の繰り返し腐食を773Kと1173Kの間で調べたが、腐食による重量変化は極めてわずかであり、TiC/SiC膜は優れた耐食性および耐熱衝撃性を有することがわかった。
The chemical reaction of water, the chemical reaction, the water, the water, the water. Equipment, large-scale equipment, machinability and metal materials are used as necessary materials. The metal materials with high food resistance and high food resistance are not suitable for environmental protection, such as high food resistance, high food resistance, high food resistance and high food resistance. The purpose of this study is to determine the effect of food tolerance on food tolerance, CVD, TiC
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Narushima,T.Goto,Y.Iguchi,T.Hirai: "High-temperature oxidation of CVD-SiC in wet oxygen at 1823 to 1923K" Journal of American Ceramic Society.
T.Narushima、T.Goto、Y.Iguchi、T.Hirai:“1823 至 1923K 湿氧中 CVD-SiC 的高温氧化”美国陶瓷学会杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Goto,C-C.Jiang,T.Hirai: "Thermodynamic analysis for the chemical vapour deposition of non-stoichiometric titanium carbides" Journal of Less-Common Metals.
T.Goto,C-C.Jiang,T.Hirai:“非化学计量碳化钛化学气相沉积的热力学分析”Journal of Less-Common Metals。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Narushima,T.Goto,T.Hirai: "Active to passive transition in the oxidation of CVD-SiC" MRS Int'l.Mtg.on Adv.Mats.4. 295-300 (1989)
T.Narushima、T.Goto、T.Hirai:“CVD-SiC 氧化中的主动到被动转变”MRS Intl.Mtg.on Adv.Mats.4。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
C-C.Jiang,T.Goto,T.Hirai: "Preparation of titanium carbide plates by chemical vapour deposition" Journal of Materials Science. 25. 1086-1093 (1990)
C-C.Jiang,T.Goto,T.Hirai:“化学气相沉积法制备碳化钛板”材料科学杂志。
- DOI:
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Narushima,T.Goto,T.Hirai: "High-temperature passive oxidation of chemically vapor deposited silicon carbide" Journal of American Ceramic Society. 72. 1386-1390 (1989)
T.Narushima,T.Goto,T.Hirai:“化学气相沉积碳化硅的高温被动氧化”美国陶瓷学会杂志。
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$ 2.37万 - 项目类别:
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