原子プローブ:レーザー誘起電界蒸発等による表面研究
原子探针:利用激光诱导电场蒸发等进行表面研究。
基本信息
- 批准号:01609004
- 负责人:
- 金额:$ 5.76万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1989
- 资助国家:日本
- 起止时间:1989 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では、表面にイオン、準安定原子、電子、レーザー光を入射または照射し、表面から放射・放出・反射されるイオンや原子、さらにクラスターを検出して表面の構造や電子状態を解明するのが目的である。ミクロな実験手法としては、原子的な高分解能を持つ走査型トンネル顕微鏡(STM)法と原子プローブ(AーP)法が用いられ、マクロな手法としてはペニングイオン電子分光法、イオンビーム散乱法、電子励起イオン脱離法(ESD)、同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)等があり、これらの手法の特長を十分生かして研究が進められた。STMによる表面構造の研究では、STMにより描きだされた像が走査探針の先端形状により大きく変わる事、また、走査型トンネル電子分光法(STS)により描きだされる像が先端原子の種類により著しく変わる事を見し出した。AーPによる研究では、AーPの針状試料の先端から放射される電界電子をエネルギー分析する分光器が組み込まれ、蒸着Si膜から下地金属までに至る表面・界面領域での組成と電子状態との相関関係が調べられた。興味ある結果は、Mo面上のSi被覆率が1原子層以下でも表面の電子状態は半導体的であり、試料が加熱されてシリサイドが形成されると、表面にSiが存在しても金属性の電子状態を示すことである。ペニングイオン電子分光法による研究では、ヘリウム準安定原子をビームを試料面に照射するが、この研究により電導性積層有機薄膜での電荷移動錯体の存在が確認され、最上層の電子状態の解明にはこの手法が紫外光電子分光法より勝れている事が示された。また、半導体表面上のアルカリ金属と酸素との共吸着系の電子構造も調べられた。CAICISSによる研究では、Si(111)√<3>x√<3>R30°AgやCaF(1ML)/Si(111)等の表面構造が形成される過程をリアルタイムで解析した。また、ESD法によりチタン表面上の酸素の新しい吸着状態が見い出された。
In this study, the electron beam, the surface temperature, the stabilized atom, the electron, the electron beam, the electron beam, the electron beam. The high decomposition energy of the atom, the atomic absorption micrometer (STM), the atomic absorption spectroscopy (ADP), the atomic emission spectroscopy (AFP), the atomic emission spectroscopy (AFP), the atomic emission spectroscopy (ADP), the atomic energy decomposition (HDS), the atomic energy decomposition (HDS), the atomic absorption spectroscopy (APCM), the atomic absorption spectroscopy (ADP), the atomic emission spectroscopy (ADP), the atomic absorption spectroscopy (ADP), the electron excitation emission (ESD), the same type of direct burst spectroscopy (CAICISS), and so on. He is very skilled in the study of techniques and techniques. STM surface imaging research, STM imaging imaging, scanning electron microscopy (STS), scanning electron spectroscopy (STS), scanning electron spectroscopy (EDS), X-ray photoelectron spectroscopy (EPS). A
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
S.Nishigaki,S.Matsuda,T.Sasaki,N.Kawanishi,Y.Ideda and H.Takeda: "Metastable Deexcitation Spectroscopy Study on the Local valence-Electron States of the K/Si(100)2x1 Surface" Surface Science.
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Tomitori,F.Iwawaki,N.Hirano,F.Katuki and O.Nishikawa: "Corrugation of Si Surfaces and Profiles of Tip Apexes" J.Vacuum Science and Technology. A8. 222-225 (1990)
M.Tomitori、F.Iwawaki、N.Hirano、F.Katuki 和 O.Nishikawa:“Si 表面的波纹和尖端顶点的轮廓”J.真空科学与技术。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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J.Murakami、T.Hashimoto 和 I.Kusunoki:“通过低能 Ne^ 轰击从 Si 表面进行离子散射和表面重涂”真空。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
O.Nishikawa,M.Tomitori,F.Iwawaki and N.Hirano: "Correlation between STM/STS Images and Apex Profiles of Scanning Tips" J.Vacuum Science and Technology. A8. 421-424 (1990)
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