アクチナイド化合物の高磁場下における遠赤外スペクトル

高磁场下锕系化合物的远红外光谱

• 批准号: 01634501
• 负责人: 難波 孝夫
• 金额: $ 2.24万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1989 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01634501/
• 关键词: アクチナイド化合物; 希土類化合物; 4f電子系; シンクロトロン放射光

アクチナイド化合物の5f電子に関連した物性を理解するためには4f電子系の研究が不可欠であるという観点から希土類へキサボライト(MB_6:Mは希土類金属原子)の光学スペクトルの研究を次の二つのエネルギ-領域で行った。(1)遠赤外領域分子科学研究所の放射光施設で得られる高輝度遠赤外線を用いた分光実験により、低温で唯一半導体的性質を示すSmB_6のエネルギ-ギャップの観測を行った。透過及び反射スペクトルの解析からこの物質のマクロな物理量(比熱、電気抵抗等)の温度変化を矛盾なく説明できるギャップの値を得た。(2)赤外領域希土類化合物の伝導電子に関連した“プラズマウインドウ"領域の反射スペクトルを系統的に測定した。これにより、4f電子を含む希土類化合物はその強度が含まれるf電子数に比例して増加する“赤外吸収帯"を示すことを明らかとした。これは伝導電子であるs、p電子と4f電子間の相関によって生ずるものとみられ、今後アクチナイド化合物での同様な測定によってその起源が明らかになると期待される。

アクチナイドCompoundの5fElectronicにRelationしたphysical propertiesをUnderstandingするためには4fElectronic systemのResearchがCannot oweであるという観Pointから簉Earth type earth metal atom (MB_6: M rare earth metal atom) and optical technology research field. (1) The Radiation Light Facility of the Institute of Molecular Science in the Far-infrared Field is equipped with a high-intensity far-infrared spectrometer.により、The properties of the only low-temperature semiconductor are shown by SmB_6のエネルギ-ギャップの観measurementを行った. Transmission and reflection analysis of matter and physical quantity (specific heat) , electric resistance, etc.) The contradiction between the temperature change and the change of temperature is explained. (2) Measurement of the electron-conducting properties of rare earth compounds in the infrared field using the "Hydro-Reflection System" in the field.これにより, 4f electron をcontaining むrare earth compound はそのstrength がcontaining まれるf electron number にratio して嗗加する"Infrared absorption band"をshow すことを明らかとした.これは伝 conducting electrons であるs, p electrons and 4f electrons, the correlation between によって生ずるものとみられ, today After the アクチナイド compound での同様なdetermination によってそのorigin が明らかになるとlook forward to される.