近藤半導体の光スペクトル

近藤半导体光谱

• 批准号: 08223222
• 负责人: 難波 孝夫
• 金额: $ 0.9万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08223222/
• 关键词: 近藤半導体; エネルギーギャップ; CeRhSb

本研究の目的は固体における電子相関が特に強い強相関電子系物質の中でも低温においてエネルギーギャップを発現するいわゆる「近藤半導体」と呼ばれる物質についてその詳細な電子構造を知ることである。特にこの範疇の物質の特異な物性はフェルミ準位近傍に存在する4f電子準位の不安定性に関連していると見られることから、遠赤外光という極低エネルギー励起による高いエネルギー分解能を有する遠赤外分光法によってその光スペクトルの詳細な温度変化を観測し、ギャップ形成のメカニズムについて知ろうというものである。実験は、高輝度遠赤外光源として知られる分子科学研究所の放射光施設UVSORの赤外ビームラインBL6A1で遠赤外反射実験を行った。試料は単結晶CeRhSbである。この物質の特長はCeNiSnと同じ結晶構造を持つがそれよりも異方性が弱く、且つヘリウム温度でギャップが開くいわゆる「近藤絶縁体」ではないかと見られている点である。電気抵抗の測定でもそれが伺える。この物質は最近の結晶成長技術の進歩でようやく純良単結晶が得られるようになった。測定によれば室温-窒素温度まではほぼ金属的な反射率を示すがヘリウム温度まで冷やすと約3meV(25cm^<-1>)以下のエネルギー領域で5%程度の明瞭な反射率の低下が観測された。これからギャップが低温で開き、その大きさが3meV程度であることが分かった。

The purpose of this research is to understand the detailed electronic structure of "Kondo Semiconductor" and other substances in order to discover the existence of highly correlated electrons in solids and medium to high temperature electron systems. Special properties of substances in this category are related to the instability of 4f electron level in the vicinity of the existence of 4f electron level, and the relationship between 4f electron level and 4f electron level is very low, and the excitation of 4f electron level is very low. The infrared radiation source BL6A1 of the Institute of Molecular Science is a high-brightness infrared radiation source. The sample is crystalline CeRhSb. The characteristics of this substance are: CeNiSn, homogeneous crystalline structure, weak anisotropy, and temperature. The measurement of electrical resistance can be done without delay. This material is the latest advance in crystal growth technology. Measurement of room temperature-temperature reflectance of the metal shows that the temperature of the metal is about 3meV(25 cm ^<-1>) or less, and the reflectance of the metal is about 5% lower than that of the metal. The temperature is low, the temperature is high, and the temperature is 3meV.